MCQ
2841. একটি Chopper সার্কিট মূলত-
ডিসি থেকে এসি কনভার্টার
এসি থেকে ডিসি কনভার্টার।
ডিসি থেকে ডিসি কনভার্টার
কোনোটিই নয়
2842. জামেনিয়াম P-N জাংশন ডায়োডের ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল-
0.07V
0.7V
0.3V
1.3V
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
বেসিক ইলেক্ট্রনিক্স all mcq
Besic electronics mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: জার্মেনিয়াম PN জাংশন ডায়োডের ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল ভোল্টেজ ০.3V এবং সিলিকন-এর ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল ভোল্টেজ 0.7V।
2843. কোনো পরমাণুর চতুর্থ কক্ষের ইলেকট্রন সংখ্যা-
9 টি
16টি
1৪টি
32টি
2844. পরিবাহীতে ভ্যালেন্স ইলেকট্রন থাকে-
4টির বেশি
4টি
4টির কম
কোনোটিই নয়
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
বেসিক ইলেক্ট্রনিক্স all mcq
Besic electronics mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা:ধাতব মৌলসমূহ সাধারণত বিদ্যুৎ পরিবাহী পদার্থ হিসেবে ব্যবহৃত হয়। এসব ধাতব মৌলের পরমাণুর সর্বশেষ কক্ষপথে। টি বা ২টি বা ওটি ইলেকট্রন থাকে। ফলে এরা সহজেই। টি বা ২টি বা এটি ইলেকট্রন দান করে ধনাত্মক আয়নে পরিণত হয় এবং বিদ্যুৎ পরিবহন করে। সুতরাং, এসব মৌলের ভ্যালেন্স ইলেকট্রনের সংখ্যা এটির কম হয়। অর্থাৎ, সর্বশেষ স্তরে ইলেকট্রনের সংখ্যা 4টির কম।
2845. সেমিকন্ডাক্টরের ভ্যালেন্স ইলেকট্রনের সংখ্যা হলো-
2টি
4টি
5টি
8 টি
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
বেসিক ইলেক্ট্রনিক্স all mcq
Besic electronics mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: যে-সব পদার্থের সর্বশেষ স্তরে এটি ইলেকট্রন থাকে, তাদেরকে সেমিকন্ডাক্টর বলে। আর শেষ কক্ষপথের ইলেকট্রন সংখ্যাকে ভ্যালেন্স ইলেকট্রন বলে।
2846. PNP এবং NPN ট্রানজিস্টরের প্রতীকের অ্যামিটারে ব্যবহৃত তীর চিহ্নটি নির্দেশ করে-
ইলেকট্রন প্রবাহের দিক
কারেন্ট প্রবাহের দিক
ভোল্টেজের দিক
কোনোটিই নয়
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
বেসিক ইলেক্ট্রনিক্স all mcq
Besic electronics mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: অ্যামিটার দ্বারা কারেন্টের মান দ্বারা ভোল্টেজ পরিমাপ করা যায়। পরিমাণ করে। ভোল্টমিটার
2847. P-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর প্রস্তুত করতে প্রয়োজন হয়-
দ্বিযোজী ভেজাল মৌল
ত্রিযোজী ভেজাল মৌল
চতুর্যোজী ভেজাল মৌল
পঞ্চযোজী ভেজাল মৌল
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
বেসিক ইলেক্ট্রনিক্স all mcq
Besic electronics mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরি করার জন্য বিশুদ্ধ সেমিকন্ডাক্টরের (Silicon, Germanium) সাথে ভেজাল হিসেবে ত্রিযোজী মৌল (Gallium, Indium, Aluminium ইত্যাদি) মিশ্রিত করা হয়।
2848. ডায়োডের বা P-N জাংশনের ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল বাধা প্রদান করে শুধুমাত্র-
P স্তরের হোলসমূহকে
N স্তরের ইলেকট্রনসমূহকে
উভয় স্তরের মেজরিটি ক্যারিয়াসমূহকে'
উভয় স্তরের মাইনরিটি ক্যারিয়ারসমূহকে
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
বেসিক ইলেক্ট্রনিক্স all mcq
Besic electronics mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: P-N জাংশনের ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল উভয়স্তরের মেজোরিটি ক্যারিয়ারসমূহকে বাধা প্রদান করে।
2849. একটি মাধ্যমের পারমিয়্যাবিলিটি এবং পারমিটিভিটি-
পরস্পর স্বতন্ত্র
ইলেকট্রোম্যাগনেটিক ওয়েভের গতিবেগ দ্বারা সম্পর্কিত
বোল্টজ ম্যান'স কনস্ট্যান্ট দ্বারা সম্পর্কিত
কোনোটিই নয়
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: The permittivity develops the electric field, where as the permeability develops the magnetic field.
2850. P-N জাংশন ডায়োডের অ্যানোড ও ক্যাথোড নির্ণয়ে ব্যবহৃত হয়-
অ্যামিটার
ভোল্টমিটার
ওয়াটমিটার
ওহমমিটার
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
বেসিক ইলেক্ট্রনিক্স all mcq
Besic electronics mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: PN Junction diode- Anode Cathode নিরূপণে মাল্টিমিটার ব্যবহার করা হয়। মাল্টিমিটারের নব ওহমমিটারে সিলেক্ট করে লাল ও কালো প্রোব দিয়ে Diode-এর দুই প্রান্তে ধরে Diode-এর Anode Cathode নিরূপণ করা হয়।
2851. এলইডি থেকে লাল অথবা হলুদ আলো পাওয়া যায়, যদি তা তৈরি হয়-
GaAs দ্বারা
Ge দ্বারা
GaP দ্বারা
GaAs P দ্বারা
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
বেসিক ইলেক্ট্রনিক্স all mcq
Besic electronics mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: GaP দ্বারা তৈরি LED থেকে লাল, সবুজ এবং হলুদ আলো পাওয়া যায়। GaAs→ ইনফ্রারেড GaAs P→ লাল এবং কমলা।
2852. এফসিসি স্ট্রাকচারে স্লিপ সিস্টেমের সংখ্যা হয়-
3
6
12
18
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: Face centered cubic (FCC) crystals have 12 slip systems.
2853. একটি SCR কখন কারেন্ট প্রবাহিত হতে দেয় না?
ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ ব্রেক-ওভার ভোল্টেজের চেয়ে ছোট হলে
কারেন্টের মান হোল্ডিং কারেন্টের নিচে নেমে গেলে
গেট পালস না থাকলে
সবগুলোই সঠিক
2854. এলইডি-এর ভোল্টেজ ড্রপ সাধারণত-
1V
2.5V
2V
3V
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
বেসিক ইলেক্ট্রনিক্স all mcq
Besic electronics mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যাঃ LED ফরওয়ার্ড ভোল্টেজের মান 1.2V হতে 2.5V পর্যন্ত।
LED Colour Voltage drop 20(mA)
RED 1.8V
Orange 2V
Yellow 2.3V
Green 3.5V
Blue 3.6V
White 4V
2855. অর্ধপরিবাহী ডায়োডকে কী বলা হয় --
রেকটিফায়ার
ট্রানজিস্টর
অ্যামপ্লিফায়ার
কোনোটিই নয়
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
বেসিক ইলেক্ট্রনিক্স all mcq
Besic electronics mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: PN জাংশনকে অর্ধ-পরিবাহী ডায়োড বলে এবং এই ডায়োডগুলো হাফ-ওয়েভ রেক্টিফায়ার হিসেবে আচরণ করে।
2856. ইমপ্রেগনেটেড পেপারের ডাই-ইলেকট্রিক স্ট্রেংথ-
40-50 kV/cm
75-100 kV/cm
200-300 kV/cm
500-600 kV/cm
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: Dielectric strength is defined as the electrical strength of an insulating material. Impregnated paper dielectric strength 300 kV/cm or 30 kV/mm.
2857. একটি মৌলিক পদার্থ দৃঢ়ভাবে একটি ম্যাগনেটিক সলিড গঠন করতে পারে কেবলমাত্র তখনই, যখন এর অ্যাটমসমূহ-
একটি অসম্পূর্ণ ভ্যালেন্স শেলে থাকে
একটি সম্পূর্ণ ভ্যালেন্স শেলে থাকে
একটি অসম্পূর্ণ ইনার শেলে থাকে
একটি শূন্য ইনার শেলে থাকে
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: একটি অসম্পূর্ণ ইনার শেলের অ্যাটমসমূহে একটি মৌলিক পদার্থ দৃঢ়ভাবে একটি ম্যাগনেটিক সলিড গঠন করতে পারে।
2858. লাল (Infrared) আলো প্রদানকারী এলইডি তৈরি করা হয়-
Ge দ্বারা
GaAs দ্বারা
GaP দ্বারা
GaAs P দ্বারা
2859. সিলিকন P-N জাংশন ডায়োডের ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল-
0.03V
0.07V
0.3V
0.7V
2860. ফুল-ওয়েভ রেক্টিফায়েড ভোল্টেজ এবং কারেন্ট রিপ্ল ফ্যাক্টর-
0.44
0.46
0.48
0.50