EC
Engineering Classroom
by Himalay Sen

Exams

Prepare for your next test with our collection of exam-based practice sets and question banks designed for effective assessment and revision.

Courses

Discover our wide range of online courses designed to help you learn new skills, master complex topics, and achieve your academic or career goals.

Books

টার্গেট - BPSC নন ডিপার্টমেন্ট রিটেন বই

টার্গেট - BPSC নন ডিপার্টমেন্ট রিটেন বইটি বর্তমানে BPSC রিটেন পরীক্ষার জন্য সেরা। BPSC এর বিগত সালের সকল লিখিত পরীক্ষার প্রশ্নের উত্তর এই বইয়ে দেওয়া হয়েছে।

৳299.00
এডমিশন মাস্টার - পলিটেকনিক ভর্তি গাইড ও সাজেশন বই ২০২৬

পলিটেকনিক ভর্তি পরীক্ষার জন্য সেরা ভর্তি গাইড ও সাজেশন বই।

৳320.00
রেডিমিক্স সিভিল ইঞ্জিনিয়ারিং বেস্ট MCQ বই

উপ-সহকারী প্রকৌশলী ও সহকারী প্রকৌশলী চাকরি প্রস্তুতির জন্য সিভিল ডিপার্টমেন্টের বেস্ট MCQ বই।

৳750.00
English For Exam বই by Himalay Sen Sir

উপ-সহকারী প্রকৌশলী চাকরি প্রস্তুতির জন্য বেস্ট English বই।

৳330.00

সালের প্রশ্ন

Access past board exam questions organized by year and subject to help you understand patterns, improve preparation, and boost your exam performance.

MCQ
2921. যখন দুটি কয়েল সিরিজে সংযোগ করা হয়, তখন সিরিজ এইডিং-এর বেলায় মোট ইন্ডাকট্যান্স-
L₁ = L₁ + L₂ + 2M
L₁= L₁ + L₂ -2M
L₁= L₁ + L₂ /2M
L₁= 2M/√ L₁ + L₂
2922. Zener Diode ব্যবহৃত হয়-
রেক্টিফায়ার হিসেবে
ভোল্টেজ রেগুলেটর
Amplifier হিসেবে
কোনোটিই নয়
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: জিনার ডায়োড একটি বিশেষ ধরনের ডায়োড, যা রিভার্স বায়াসিং-এর সময় রিভার্স ব্রেক ডাউন রিজিয়নে অপারেট হয়। জিনার ডায়োডের কাজ নিম্নরূপ- (i) জিনার ডায়োড সার্কিটে ভোল্টেজ রেগুলেটর হিসেবে কাজ করে। (ii) ভোল্টেজ লিমিটার হিসেবে কাজ করে। (iii) সার্কিটে স্থির রেফারেন্স ভোল্টেজ প্রদান করে।
2923. সেলফ-ইন্ডাকট্যান্স-
L= Iꟁ/nহেনরি
L = nIꟁহেনরি
L= nI/ꟁ অ্যাম্পিয়ার টার্ন/ওয়েবার
L= nꟁ/I হেনরি
ব্যাখ্যা: সেলফ ইনডাকট্যান্স LI = Nꝕ L= Nꝕ /I Henery যেখানে, N = No of turns ꝕ = Flux I = Current
2924. BJT-এর Base হয়?
Heavily doped
Moderately doped
Not doped
Lightely doped
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: The heavy doping of the emitter region and the light doping of the base region cause many more electrons to be injected from the emitter into the base than holes to be injected from the base into the emitter.
2925. কাপলিং-এর সহগ (Coefficient of coupling)-
K= √M/L1L2
K= √L1L2/M
K= L1L2/√M
K= M/√ L1L2
ব্যাখ্যা: Coefficient of coupling K = K= M/√ L1L2 Where, M = Mutual Inductance L1 and L2 = Self Inductance rang of coefficient of coupling 0 ≤K ≤l
2926. সেলফ-ইনডিউসড ইএমএফ-
e = L × dt/dI
e = L × dI/dL
e = dt/L ×dI
e= I × dL/dt
ব্যাখ্যা: একটি কয়েলের সাথে সংশ্লিষ্ট এর নিজস্ব ফ্লাক্সের পরিবর্তনের কারণে যে ইএমএফ আবিষ্ট হয় তাকে সেল্ফ ইনডিউসড di ইএমএফ বলে।
2927. একটি Regulated power supply-এ একই ধরনের দুটি ১৫ volt-এর Zener diode series-এ থাকলে regulated output voltage হবে-
১৫V
৭.৫V
৩০V
কোনোটিই নয়
2928. যখন 200 প্যাঁচের একটি কয়েলের মধ্য দিয়ে 2 অ্যাম্পস কারেন্ট প্রবাহিত হয়, তখন 0.2 mwb-এর ফ্লাক্স সৃষ্টি করে। ম্যাগনেটিক সার্কিটের রিলাকট্যান্স
2A
1A/wb
2 AT/wb
2 x 6 wb-J
ব্যাখ্যা: We know, Reluctance Rm = mmf/ φ = NI/ φ = 200x2/0.2×10-3 = 2
2929. একটি কয়েলের ইন্ডাকট্যান্স মূল মানের চারগুণ বৃদ্ধি করতে হলে নিম্নের কোনটিকে দ্বিগুণ করতে হবে-
দৈর্ঘ্য
প্যাঁচের সংখ্যা
কয়েলের আয়তন
সবগুলো
ব্যাখ্যা: Inductance L∞ N ইনডাক্টট্যান্স প্যাঁচ সংখ্যার সাথে সমানুপাতিক অর্থাৎ প্যাঁচ সংখ্যা বাড়লে ইনডাকট্যান্সের এর মান বাড়বে।
2930. ফ্যারাডের সূত্র অনুযায়ী যখন কোনো পরিবাহী চৌম্বকক্ষেত্রের ভিতর আলোড়িত হয়, তখন উক্ত পরিবাহীতে Emf আবেশিত হয়। এই আবেশিত Emf-এর পরিমাণ বৃদ্ধি-
তারের প্যাঁচের সংখ্যার সাথে সমানুপাতিক
তারের ঘূর্ণন গতির সাথে সমানুপাতিক
চৌম্বকক্ষেত্রের শক্তির সাথে সমানুপাতিক
উপরোক্ত সব কয়টি
ব্যাখ্যা: We know, Emf = NBLV Where, B = Magnetic field N = No of turns V = Velocity L = the length of the wire
2931. যখন দুটি কয়েল সিরিজে সংযোগ করা হয়, তখন সিরিজ অপোজিং-এর বেলায় মোট ইন্ডাকট্যান্স-
L₁ = L₁ + L₂ + 2M
L₁ = L₁ + L₂ -2M
L₁ = L₁ + L₂ + M
L₁ = L₁ + L₂ - M
2932. রিলাকট্যান্স নির্ণয় করা হয়-
μL/A
L/μΑ
μΑ /L
A/ μL
ব্যাখ্যা: রিলাকট্যান্স R = mmf/ꝕ = NI/ ꝕ = L / μΑ যেখানে, L= Length of the magnetic path (m) µ = Permeability of the magnetic material A = Cross section area (m²)
2933. চৌম্বকক্ষেত্রে কারেন্ট বহনকারী পরিবাহীর উপর ক্রিয়াশীল বল নির্ভর করে-
ফ্লাক্সের উপর
কারেন্টের উপর
তারের দৈর্ঘ্যের উপর
সব ক'টির উপর
ব্যাখ্যা: (i) F = ꝕR (ii) F = NI (iii) F = HL উপরের তিনটি সমীকরণ হতে দেখা যায়, ক্রিয়াশীল বল নির্ভর করে ফ্লাক্স, কারেন্ট এবং দৈর্ঘ্যের উপর।
2934. ম্যাগনেটিক ফ্লাক্সের পথ বরাবর প্রতি একক দৈর্ঘ্যের ম্যাগনেটোমোটিভ ফোর্সকে বলে-
ফিল্ড ইনটেনসিটি
mmf
ফ্লাক্স ডেনসিটি
Emf
ব্যাখ্যা: ম্যাগনেটিক ফ্লিট ইনটেনসিটি = mmf/ L
2935. প্রতি একক ম্যাগনেটোমোটিভ ফোর্সের জন্য উৎপাদিত ফ্লাক্সকে বলে চুম্বক পথের-
পারমিয়্যাবিলিটি
পারমিয়্যান্স
ফিল্ড ইনটেনসিটি
রিলেটিভ পারমিয়্যাবিলিটি
ব্যাখ্যা: পারমিয়্যান্স (P) = B/H যেখানে, B = Magnetic field H = Magnetic field intensity
2936. ম্যাগনেটিক সার্কিটের পারমিয়্যান্স, ইলেকট্রিক সার্কিটের কোনটির মতো-
রেজিস্ট্যান্স
কন্ডাকট্যান্স
রেজিস্টিভিটি
কন্ডাকটিভিটি
ব্যাখ্যা: Conductance = 1/ Permeance = 1/resistance
2937. একটি কয়েলের সেলফ-ইন্ডাকট্যান্স এক হেনরি হবে, যখন-
প্রতি সেকেন্ডে ১ অ্যাম্পিয়ার হারে কারেন্ট পরিবর্তিত হলে এক সেকেন্ডে ১ ভোল্ট Emf আবিষ্ট হয়
এক অ্যাম্পিয়ার কারেন্ট ১ ভোল্ট Emf আবিষ্ট করে
প্রতি সেকেন্ডে এক ভোল্ট Emf পরিবর্তনের ফলে অ্যাম্পিয়ার কারেন্ট আবিষ্ট হয়
প্রতি সেকেন্ডে ১ অ্যাম্পিয়ার হারে কারেন্ট পরিবর্তিত হলে ঐ কয়েলে ১ ভোল্ট Emf আবিষ্ট হয়
ব্যাখ্যা: সুতরাং, প্রতি সেকেন্ডে ১ অ্যাম্পিয়ার হারে কারেন্ট পরিবর্তিত হলে ঐ কয়েলে ১ ভোল্ট Emf আবিষ্ট হয়।
2938. এক বর্গমিটারের মধ্য দিয়ে অতিক্রান্ত ম্যাগনেটিক ফ্লাক্সের পরিমাণকে বলা হয়-
ম্যাগনেটোমোটিভ ফোর্স
ম্যাগনেটিক সার্কিট
ফ্লাক্স ডেনসিটি
রেসিডুয়াল ম্যাগনেটিজম
ব্যাখ্যা: ফ্লাক্স ডেনসিটি B = ꝕ/A
2939. এমকেএস (MKS) পদ্ধতিতে অ্যাম্পিয়ার টার্ন/ওয়েবার-
mmf-এর একক
পারমিয়্যাবিলিটির একক
ফিল্ড ইনটেনসিটির একক
রিলাকট্যান্সের একক
ব্যাখ্যা: রিলাকট্যান্স = mmf/ꝕ = NI/ꝕ = ampere-turns/Weber
2940. গতিশীলতার আবেশিত ইএমএফ-
e = Blv V
e = B/lv V
e = lv/B V
e = Biv/sineθ V
ব্যাখ্যা: গতিশীল আবেশিত Emf = Blv যেখানে, B = Magnetic field I = Length of the conductor v = Velocity.