MCQ
141. হাফ অ্যাডার সার্কিট দ্বারা যোগ করা যায়-
একটি বিট
দুটি বিট
চারটি বিট
তিনটি বিট
142. কম্বিনেশনাল বর্তনীতে-
Feedback সংকেত থাকে
নির্গমন সংকেতের মান গ্রহণ সংকেতের মানের সমান
কোনো ইলেকট্রনিক স্মৃতি ব্যবহার করা হয় না
শুধুমাত্র NOR gate থাকে
143. যুক্তি অ্যালজেবরা অনুযায়ী (AA)-এর মান-
1
A ̅
A
144. ABC-এর মান-
A ̅.B ̅.A ̅
A ̅+B ̅+C ̅
(AB) ̅+C ̅
(AB) ̅+C ̅
145. MOS লজিক সার্কিট গঠিত হয়-
শুধুমাত্র MOS ডিভাইস দ্বারা
MOS ডিভাইস এবং রেজিস্টার দ্বারা
MOS ডিভাইস এবং ডায়োড দ্বারা
MOS এবং বাইপোলার ডিভাইস দ্বারা
146. MSB-এর পূর্ণরূপ কী?
Most Significant Bit
Must Significant Bit
Mostly Significant Bit
কোনোটিই নয়
147. লজিক গেইট দিয়ে-
সংকেতকে শক্তিশালী করা হয়
সিদ্ধান্ত গ্রহণ করা হয়
বিভব নিয়ন্ত্রণ করা হয়
বাইনারি অ্যালজেবরার বাস্তব প্রয়োগ করা হয়
148. ফুল অ্যাডার দ্বারা যোগ করা যায়-
তিনটি বিট
দুটি বিট
চারটি বিট
ছয়টি বিট
149. ডি-মরগ্যানের সূত্রানুযায়ী AB এর মান-
A ̅+B ̅
(AB) ̅
B ̅
A+B ̅
150. নিম্নের কোন লজিক গোষ্ঠীর নয়েজ মার্জিন সবচেয়ে বেশি?
I'L
HTL
TTL
CMOS
151. LSB-এর পূর্ণরূপ কী?
Least Significant Bit
Light Significant Bit
Lower Significant Bit
Low Significant Bit
152. শিল্পকারখানায় উচ্চ নয়েজযুক্ত পরিবেশে ব্যবহারে বেশি উপযোগী লজিক গোষ্ঠী হলো-
TTL
HTL
MOS
ECL
153. TTL বর্তনীর অপারেশনের গতি-
DTL বর্তনীর সমান
DTL বর্তনীর চেয়ে কম
DTL বর্তনীর সমান কিংবা বেশি
DTL বর্তনীর চেয়ে বেশি
154. নিম্নের কোন লজিক গোষ্ঠীর শক্তিক্ষয় সবচেয়ে কম?
TTL
I'L
ECL
CM20
155. TTL বর্তনী অ্যাকটিভ পুল-আপ বর্তনী হিসেবে ব্যবহার করার উপযোগী হওয়ার কারণ-
Wired AND অপারেশনের জন্য
Bus-operated system-এর জন্য
Wired logic অপারেশনের জন্য
কম শক্তিক্ষয় এবং অপারেশনের গতি বেশি হওয়ার জন্য
156. এসি সিগন্যাল কী ধরনের সিগন্যাল?
অ্যানালগ সিগন্যাল
ডিজিটাল সিগন্যাল
কোনোটিই নয়
মডুলেটেড সিগন্যাল
157. CMOS ডিভাইসের জন্য গ্রহণযোগ্য সরবরাহ ভোল্টেজ-
+5 ভোল্ট
-5 ভোল্ট
3 থেকে 15 ভোল্ট
+-5 ভোল্ট
158. বাইপোলার লজিক গোষ্ঠী বলতে বুঝায়-
জংশন ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর
P-N জংশন
n-p-n ট্রানজিস্টর
MOSFET'S
159. RTL সার্কিট গঠিত হয়-
ডায়োড এবং রেজিস্টার দিয়ে
ট্রানজিস্টর এবং রেজিস্টার দিয়ে
FET এবং রেজিস্টার দিয়ে
MOS ডিভাইস এবং রেজিস্টার দিয়ে
160. CMOS লজিক গঠিত হয়-
n-চ্যানেল MOS ডিভাইস দ্বারা
P-চ্যানেল MOS ডিভাইস দ্বারা
MOS ডিভাইস এবং ক্যাপাসিটার দ্বারা
P-চ্যানেল এবং N-চ্যানেল MOS ডিভাইস দ্বারা