Image
অ্যাডভান্সড ইলেকট্রিসিটি MCQ
ইলেকট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্টের অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি সাবজেক্টের সকল MCQ প্রশ্ন এই ফোল্ডারে পাবেন। ইলেকট্রিক্যাল ইঞ্জিনিয়ারিং এ চাকরি প্রস্তুতির জন্য ডিপার্টমেন্ট ও নন-ডিপার্টমেন্টের সকল আপডেট MCQ প্রশ্ন উত্তর সহ এই গ্রুপে পাবেন। ইঞ্জিনিয়ারিং চাকরি প্রস্তুতির জন্য আমাদের App: Engineering Classroom গুগোল প্লে-স্টোর থেকে ডাউনলোড করে নিন।
81. টেট্রাহেড্রাল বন্ডিং নিম্নের কোন বন্ডগুলোর বৈশিষ্ট্য?
মলিকুলার
কো-ভ্যালেন্ট
আয়োনিক
মেটালিক
82. পরস্পর সন্নিহিত দুটি অ্যাটমের মধ্যে সর্বাপেক্ষা নিকটবর্তী দূরত্ব হলো-
10 × 10-10 মিটার
1 × 10-5 মিটার
2 × 10-10 মিটার
2 × 10-12 মিটার
85. একটি মাধ্যমের পারমিয়্যাবিলিটি এবং পারমিটিভিটি-
পরস্পর স্বতন্ত্র
ইলেকট্রোম্যাগনেটিক ওয়েভের গতিবেগ দ্বারা সম্পর্কিত
বোল্টজ ম্যান'স কনস্ট্যান্ট দ্বারা সম্পর্কিত
কোনোটিই নয়
86. একটি প্যারাম্যাগনেটিক পারমিয়্যাবিলিটি হলো- ম্যাটেরিয়ালের রিলেটিভ
এক
একের চেয়ে কম
একের চেয়ে সামান্য বেশি
কয়েক শত
87. যদি একটি মৌলিক পদার্থের পারমাণবিক সংখ্যা Z হয় এবং এর পারমাণবিক ওজন A হয়, তবে নিউক্লিয়াসে প্রোটনের সংখ্যা হয়-
Z
A-Z
A
A+Z
88. গ্রাফাইটে বন্ডিং হয়-
ভ্যানডার ওয়ালস
মেটালিক
কো-ভ্যালেন্ট
(ক) ও (গ) উভয়টিই
91. একটি কো-ভ্যালেন্ট বন্ডের বৈশিষ্ট্য নির্ধারিত হয়-
8-N রুল দ্বারা
মলিকুলার অরবিটালস দ্বারা
ক্রিস্টালানিটি দ্বারা
ইলেকট্রন ভেলোসিটি দ্বারা
92. মেটালিক বন্ডিং হয়-
সন্নিহিত অ্যাটমসের মধ্যবর্তী ইলেকট্রনসের শেয়ারিং- এর কারণে
ইলেকট্রন ক্লাউসের ওভারল্যাপিং-এর কারণে
আয়ন কোরসের মধ্যবর্তী আকর্ষণের কারণে
আয়ন কোরস এবং ইলেকট্রনসের মধ্যবর্তী আকর্ষণের কারণে
93. আয়োনিক বন্ডের ইলেকট্রোস্ট্যাটিক নেচার এটিকে কোন ধরনের বন্ড হিসেবে তৈরি করে?
ডিরেকশনাল
নন-ডিরেকশনাল
দুর্বল
গ্রুপ IV এলিমেন্টসে প্রযোজ্য
94. পিভিসি নিম্নের কোনটির পলিমার?
ফেনল এবং ফরমালডিহাইড
ইথিলিন
ভিনাইল ক্লোরাইড
উপরের কোনোটিই নয়
96. একটি মৌলিক পদার্থ দৃঢ়ভাবে একটি ম্যাগনেটিক সলিড গঠন করতে পারে কেবলমাত্র তখনই, যখন এর অ্যাটমসমূহ-
একটি অসম্পূর্ণ ভ্যালেন্স শেলে থাকে
একটি সম্পূর্ণ ভ্যালেন্স শেলে থাকে
একটি অসম্পূর্ণ ইনার শেলে থাকে
একটি শূন্য ইনার শেলে থাকে
97. সলিডের আয়োনিক বন্ডিং প্রাথমিকভাবে নির্ভর করে-
ভ্যান্ডার ওয়ালস ফোর্সেস-এর উপর
ইলেকট্রিক্যাল ডাইপোলস-এর উপর
শেয়ারিং অব ইলেকট্রনস-এর উপর
ট্র্যান্সফার অব ইলেকট্রনস-এর উপর
98. ম্যাগনেটিক রেকর্ডিং টেপ তৈরি হয় সাধারণত-
আয়রনের ক্ষুদ্র ক্ষুদ্র কণা হতে
সিলিকন আয়রন হতে
সিলিকন অক্সাইড হতে
ফেরিক অক্সাইড হতে
99. ইমপ্রেগনেটেড পেপারের ডাই-ইলেকট্রিক স্ট্রেংথ-
40-50 kV/cm
75-100 kV/cm
200-300 kV/cm
500-600 kV/cm
100. স্বাভাবিক তাপমাত্রায় একটি পি-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর অ্যাকসেপ্টার অ্যাটমস-
একটি পজিটিভ চার্জ বহন করে
একটি নেগেটিভ চার্জ বহন করে
নিরপেক্ষ
একটি পজিটিভ চার্জ ও একটি নেগেটিভ চার্জ বহন করে