Image
1.0.0
অ্যাডভান্সড ইলেকট্রিসিটি MCQ
ইলেকট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্টের অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি সাবজেক্টের সকল MCQ প্রশ্ন এই ফোল্ডারে পাবেন। ইলেকট্রিক্যাল ইঞ্জিনিয়ারিং এ চাকরি প্রস্তুতির জন্য ডিপার্টমেন্ট ও নন-ডিপার্টমেন্টের সকল আপডেট MCQ প্রশ্ন উত্তর সহ এই গ্রুপে পাবেন। ইঞ্জিনিয়ারিং চাকরি প্রস্তুতির জন্য আমাদের App: Engineering Classroom গুগোল প্লে-স্টোর থেকে ডাউনলোড করে নিন।
101. কাপলিং-এর সহগ (Coefficient of coupling)-
K= √M/L1L2
K= √L1L2/M
K= L1L2/√M
K= M/√ L1L2
Coefficient of coupling K = K= M/√ L1L2 Where, M = Mutual Inductance L1 and L2 = Self Inductance rang of coefficient of coupling 0 ≤K ≤l
102. একটি কয়েলের ইন্ডাকট্যান্স মূল মানের চারগুণ বৃদ্ধি করতে হলে নিম্নের কোনটিকে দ্বিগুণ করতে হবে-
দৈর্ঘ্য
প্যাঁচের সংখ্যা
কয়েলের আয়তন
সবগুলো
Inductance L∞ N ইনডাক্টট্যান্স প্যাঁচ সংখ্যার সাথে সমানুপাতিক অর্থাৎ প্যাঁচ সংখ্যা বাড়লে ইনডাকট্যান্সের এর মান বাড়বে।
103. স্টিলকে ম্যাগনেটাইজ করা কষ্টসাধ্য, এর কারণে হলো-
হাই-পারমিয়্যাবিলিটি
লো-পারমিয়্যাবিলিটি
হাই-ডেনসিটি
হাই-রিটেনটিভিটি
লো-পারমিয়্যাবিলির কারণে স্টিলকে ম্যাগনেটাইজ করা কঠিন।
104. চৌম্বকক্ষেত্রে কারেন্ট বহনকারী পরিবাহীর উপর ক্রিয়াশীল বল নির্ভর করে-
ফ্লাক্সের উপর
কারেন্টের উপর
তারের দৈর্ঘ্যের উপর
সব ক'টির উপর
(i) F = ꝕR (ii) F = NI (iii) F = HL উপরের তিনটি সমীকরণ হতে দেখা যায়, ক্রিয়াশীল বল নির্ভর করে ফ্লাক্স, কারেন্ট এবং দৈর্ঘ্যের উপর।
105. সেলফ-ইন্ডাকট্যান্স-
L= Iꟁ/nহেনরি
L = nIꟁহেনরি
L= nI/ꟁ অ্যাম্পিয়ার টার্ন/ওয়েবার
L= nꟁ/I হেনরি
সেলফ ইনডাকট্যান্স LI = Nꝕ L= Nꝕ /I Henery যেখানে, N = No of turns ꝕ = Flux I = Current
106. এডি কারেন্ট লস নির্ভর করে-
সর্বোচ্চ ফ্লাক্স ডেনসিটির বর্গের উপর
পরিবর্তনশীল চৌম্বকক্ষেত্রে ফ্রিকুয়েন্সির বর্গের উপর
ল্যামিনেশনের পুরুত্বের বর্গের উপর
উপরোক্ত সব ক'টির উপর
107. চৌম্বক গুণাবলির কিছুটা অংশ চৌম্বক পদার্থ নিজের মধ্যে রেখে দেবার প্রবণতাকেই বলে-
রিটেনটিভিটি
রেসিডুয়াল ম্যাগনেটিজম
হিসটেরেসিস
কোয়েরসিভ ফোর্স
চৌম্বক গুণাবলির কিছুটা অংশ চৌম্বক পদার্থ কর্তৃক নিজের মধ্যে রেখে দেয়ার প্রবণতাকে হিস্টেরেসিস বলে।
108. যখন দুটি কয়েল সিরিজে সংযোগ করা হয়, তখন সিরিজ অপোজিং-এর বেলায় মোট ইন্ডাকট্যান্স-
L₁ = L₁ + L₂ + 2M
L₁ = L₁ + L₂ -2M
L₁ = L₁ + L₂ + M
L₁ = L₁ + L₂ - M
109. ম্যাগনেটিক সার্কিটের পারমিয়্যান্স, ইলেকট্রিক সার্কিটের কোনটির মতো-
রেজিস্ট্যান্স
কন্ডাকট্যান্স
রেজিস্টিভিটি
কন্ডাকটিভিটি
Conductance = 1/ Permeance = 1/resistance
110. ফ্যারাডের সূত্র অনুযায়ী যখন কোনো পরিবাহী চৌম্বকক্ষেত্রের ভিতর আলোড়িত হয়, তখন উক্ত পরিবাহীতে Emf আবেশিত হয়। এই আবেশিত Emf-এর পরিমাণ বৃদ্ধি-
তারের প্যাঁচের সংখ্যার সাথে সমানুপাতিক
তারের ঘূর্ণন গতির সাথে সমানুপাতিক
চৌম্বকক্ষেত্রের শক্তির সাথে সমানুপাতিক
উপরোক্ত সব কয়টি
We know, Emf = NBLV Where, B = Magnetic field N = No of turns V = Velocity L = the length of the wire
111. এমকেএস (MKS) পদ্ধতিতে অ্যাম্পিয়ার টার্ন/ওয়েবার-
mmf-এর একক
পারমিয়্যাবিলিটির একক
ফিল্ড ইনটেনসিটির একক
রিলাকট্যান্সের একক
রিলাকট্যান্স = mmf/ꝕ = NI/ꝕ = ampere-turns/Weber
112. 6Ω রোধের একটি তারকে টেনে ৪ গুণ লম্বা করা হলে তারটির বর্তমান রোধ কত?
384 Ω
785 Ω
48 Ω
14 Ω
পরিবাহীর দৈর্ঘ্য রেজিস্ট্যান্সের সমানুপাতিক। পরিবাহীর দৈর্ঘ্য বৃদ্ধি পেলে রেজিস্ট্যান্স বৃদ্ধি পাবে। পরিবাহী দৈর্ঘ্য = ৪ এবং রোধ = 6 Ω হলে পরিবাহীর রোধ = 6 x8 = 48 Ω
113. এক বর্গমিটারের মধ্য দিয়ে অতিক্রান্ত ম্যাগনেটিক ফ্লাক্সের পরিমাণকে বলা হয়-
ম্যাগনেটোমোটিভ ফোর্স
ম্যাগনেটিক সার্কিট
ফ্লাক্স ডেনসিটি
রেসিডুয়াল ম্যাগনেটিজম
ফ্লাক্স ডেনসিটি B = ꝕ/A
114. রিলাকট্যান্স নির্ণয় করা হয়-
μL/A
L/μΑ
μΑ /L
A/ μL
রিলাকট্যান্স R = mmf/ꝕ = NI/ ꝕ = L / μΑ যেখানে, L= Length of the magnetic path (m) µ = Permeability of the magnetic material A = Cross section area (m²)
115. যখন 200 প্যাঁচের একটি কয়েলের মধ্য দিয়ে 2 অ্যাম্পস কারেন্ট প্রবাহিত হয়, তখন 0.2 mwb-এর ফ্লাক্স সৃষ্টি করে। ম্যাগনেটিক সার্কিটের রিলাকট্যান্স
2A
1A/wb
2 AT/wb
2 x 6 wb-J
We know, Reluctance Rm = mmf/ φ = NI/ φ = 200x2/0.2×10-3 = 2
116. সেলফ-ইনডিউসড ইএমএফ-
e = L × dt/dI
e = L × dI/dL
e = dt/L ×dI
e= I × dL/dt
একটি কয়েলের সাথে সংশ্লিষ্ট এর নিজস্ব ফ্লাক্সের পরিবর্তনের কারণে যে ইএমএফ আবিষ্ট হয় তাকে সেল্ফ ইনডিউসড di ইএমএফ বলে।
117. যখন দুটি কয়েল সিরিজে সংযোগ করা হয়, তখন সিরিজ এইডিং-এর বেলায় মোট ইন্ডাকট্যান্স-
L₁ = L₁ + L₂ + 2M
L₁= L₁ + L₂ -2M
L₁= L₁ + L₂ /2M
L₁= 2M/√ L₁ + L₂
118. গতিশীলতার আবেশিত ইএমএফ-
e = Blv V
e = B/lv V
e = lv/B V
e = Biv/sineθ V
গতিশীল আবেশিত Emf = Blv যেখানে, B = Magnetic field I = Length of the conductor v = Velocity.
119. একটি কয়েলের সেলফ-ইন্ডাকট্যান্স এক হেনরি হবে, যখন-
প্রতি সেকেন্ডে ১ অ্যাম্পিয়ার হারে কারেন্ট পরিবর্তিত হলে এক সেকেন্ডে ১ ভোল্ট Emf আবিষ্ট হয়
এক অ্যাম্পিয়ার কারেন্ট ১ ভোল্ট Emf আবিষ্ট করে
প্রতি সেকেন্ডে এক ভোল্ট Emf পরিবর্তনের ফলে অ্যাম্পিয়ার কারেন্ট আবিষ্ট হয়
প্রতি সেকেন্ডে ১ অ্যাম্পিয়ার হারে কারেন্ট পরিবর্তিত হলে ঐ কয়েলে ১ ভোল্ট Emf আবিষ্ট হয়
সুতরাং, প্রতি সেকেন্ডে ১ অ্যাম্পিয়ার হারে কারেন্ট পরিবর্তিত হলে ঐ কয়েলে ১ ভোল্ট Emf আবিষ্ট হয়।
120. হিসটেরেসিস লস নির্ভর করে-
পরিবর্তনশীল চৌম্বকক্ষেত্রে ফ্রিকুয়েন্সির উপর
সর্বোচ্চ ফ্লাক্স ডেনসিটির উপর
পদার্থের আকার-আকৃতির উপর
উপরোক্ত সব ক'টির উপর