EC
Engineering Classroom
by Himalay Sen

Exams

Prepare for your next test with our collection of exam-based practice sets and question banks designed for effective assessment and revision.

সালের প্রশ্ন

Access past board exam questions organized by year and subject to help you understand patterns, improve preparation, and boost your exam performance.

MCQ
5841. Zener Diode ব্যবহৃত হয়-
রেক্টিফায়ার হিসেবে
ভোল্টেজ রেগুলেটর
Amplifier হিসেবে
কোনোটিই নয়
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: জিনার ডায়োড একটি বিশেষ ধরনের ডায়োড, যা রিভার্স বায়াসিং-এর সময় রিভার্স ব্রেক ডাউন রিজিয়নে অপারেট হয়। জিনার ডায়োডের কাজ নিম্নরূপ- (i) জিনার ডায়োড সার্কিটে ভোল্টেজ রেগুলেটর হিসেবে কাজ করে। (ii) ভোল্টেজ লিমিটার হিসেবে কাজ করে। (iii) সার্কিটে স্থির রেফারেন্স ভোল্টেজ প্রদান করে।
5842. এডি কারেন্ট লস নির্ভর করে-
সর্বোচ্চ ফ্লাক্স ডেনসিটির বর্গের উপর
পরিবর্তনশীল চৌম্বকক্ষেত্রে ফ্রিকুয়েন্সির বর্গের উপর
ল্যামিনেশনের পুরুত্বের বর্গের উপর
উপরোক্ত সব ক'টির উপর
5843. যখন দুটি কয়েল সিরিজে সংযোগ করা হয়, তখন সিরিজ এইডিং-এর বেলায় মোট ইন্ডাকট্যান্স-
L₁ = L₁ + L₂ + 2M
L₁= L₁ + L₂ -2M
L₁= L₁ + L₂ /2M
L₁= 2M/√ L₁ + L₂
5844. চৌম্বক গুণাবলির কিছুটা অংশ চৌম্বক পদার্থ নিজের মধ্যে রেখে দেবার প্রবণতাকেই বলে-
রিটেনটিভিটি
রেসিডুয়াল ম্যাগনেটিজম
হিসটেরেসিস
কোয়েরসিভ ফোর্স
ব্যাখ্যা: চৌম্বক গুণাবলির কিছুটা অংশ চৌম্বক পদার্থ কর্তৃক নিজের মধ্যে রেখে দেয়ার প্রবণতাকে হিস্টেরেসিস বলে।
5845. কোন সিগন্যালে কী কী ফ্রিকুয়েন্সি আছে এবং কোন কোন মাত্রায় আছে তা জানার জন্য কোন যন্ত্রটি ব্যবহার করতে হবে?
ফ্রিকুয়েন্সি মিটার
পাওয়ার মিটার
স্পেক্ট্রাম অ্যানালাইজার
অসিলোস্কোপ
5846. গতিশীলতার আবেশিত ইএমএফ-
e = Blv V
e = B/lv V
e = lv/B V
e = Biv/sineθ V
ব্যাখ্যা: গতিশীল আবেশিত Emf = Blv যেখানে, B = Magnetic field I = Length of the conductor v = Velocity.
5847. 6Ω রোধের একটি তারকে টেনে ৪ গুণ লম্বা করা হলে তারটির বর্তমান রোধ কত?
384 Ω
785 Ω
48 Ω
14 Ω
ব্যাখ্যা: পরিবাহীর দৈর্ঘ্য রেজিস্ট্যান্সের সমানুপাতিক। পরিবাহীর দৈর্ঘ্য বৃদ্ধি পেলে রেজিস্ট্যান্স বৃদ্ধি পাবে। পরিবাহী দৈর্ঘ্য = ৪ এবং রোধ = 6 Ω হলে পরিবাহীর রোধ = 6 x8 = 48 Ω
5848. ট্রানজিস্টরের সাথে ডায়োড বা রেজিস্টর এবং ক্যাপাসিটর দিয়ে তৈরি পূর্ণাঙ্গ সার্কিটকে কী বলে?
Motherboard
RAM
Processor
IC
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: Integrated circuit-কে সিলিকন চিপও বলা হয়। এটি একটি মাইক্রোইলেকট্রনিক ডিভাইস। যাতে অনেকগুলো ট্রানজিস্টর, ডায়োড, রেজিস্টর, ১২ ক্যাপাসিটর ইত্যাদির কম্পোনেন্ট সিলিকন চিপের ২৭ উপর নির্মাণ করে জোড়া লাগানো হয়।
5849. হিসটেরেসিস লস নির্ভর করে-
পরিবর্তনশীল চৌম্বকক্ষেত্রে ফ্রিকুয়েন্সির উপর
সর্বোচ্চ ফ্লাক্স ডেনসিটির উপর
পদার্থের আকার-আকৃতির উপর
উপরোক্ত সব ক'টির উপর
5850. কাপলিং-এর সহগ (Coefficient of coupling)-
K= √M/L1L2
K= √L1L2/M
K= L1L2/√M
K= M/√ L1L2
ব্যাখ্যা: Coefficient of coupling K = K= M/√ L1L2 Where, M = Mutual Inductance L1 and L2 = Self Inductance rang of coefficient of coupling 0 ≤K ≤l
5851. Controlled Rectifier-এ কোনটি ব্যবহৃত হয়?
Diode
SCR
Snubber
TRIAC
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: Silicon Controlled Rectifier বা SCR একটি ইলেকট্রনিক ডিভাইস, যা সাধারণত ইলেকট্রনিক সুইচ হিসেবে কাজ করে। এটি এসি প্রবাহকে ডিসি প্রবাহে রূপান্তরিত করে এবং সাথে সাথে লোডে পাওয়ারের পরিমাণ নিয়ন্ত্রণ করে। SCR একই সাথে রেকটিফায়ার এবং ট্রানজিস্টরের কাজ করে।
5852. নিচের কোন ইলেকট্রনিক যন্ত্র AC থেকে DC তৈরি করতে পারে?
Diode
Transistor
JET
FET
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: রেকটিফায়ার AC-কে DC করে। যখন কোনো ডায়োড এটির ইনপুট সিগন্যালের অর্ধ সাইকেলকে রেকটিফাই করে ডিসিতে রূপান্তরিত করে, তখন তাকে হাফ ওয়েভ রেকটিফায়ার বলে।
5853. স্টিলকে ম্যাগনেটাইজ করা কষ্টসাধ্য, এর কারণে হলো-
হাই-পারমিয়্যাবিলিটি
লো-পারমিয়্যাবিলিটি
হাই-ডেনসিটি
হাই-রিটেনটিভিটি
ব্যাখ্যা: লো-পারমিয়্যাবিলির কারণে স্টিলকে ম্যাগনেটাইজ করা কঠিন।
5854. BJT-এর Base হয়?
Heavily doped
Moderately doped
Not doped
Lightely doped
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: The heavy doping of the emitter region and the light doping of the base region cause many more electrons to be injected from the emitter into the base than holes to be injected from the base into the emitter.
5855. DC voltage বাড়ানোর জন্য কোন Device ব্যবহৃত হয়?
Inverter
Chopper
Snubber
Cyclo-converter
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যাঃ চপার এক ধরনের স্ট্যাটিক সুইচ, যার সাহায্যে স্থির মানের ডিসি ভোল্টেজকে পরিবর্তনশীল ডিসি ভোল্টেজে রূপান্তর করা যায়।
5856. যখন দুটি কয়েল সিরিজে সংযোগ করা হয়, তখন সিরিজ অপোজিং-এর বেলায় মোট ইন্ডাকট্যান্স-
L₁ = L₁ + L₂ + 2M
L₁ = L₁ + L₂ -2M
L₁ = L₁ + L₂ + M
L₁ = L₁ + L₂ - M
5857. সেলফ-ইনডিউসড ইএমএফ-
e = L × dt/dI
e = L × dI/dL
e = dt/L ×dI
e= I × dL/dt
ব্যাখ্যা: একটি কয়েলের সাথে সংশ্লিষ্ট এর নিজস্ব ফ্লাক্সের পরিবর্তনের কারণে যে ইএমএফ আবিষ্ট হয় তাকে সেল্ফ ইনডিউসড di ইএমএফ বলে।
5858. একটি তেজস্ক্রিয় মৌলের অর্ধায় ২০০ বছর। মৌলটির ৭৫% ক্ষয় হতে কত বছর লাগবে?
150
300
400
450
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: একটি তেজস্ক্রিয় মৌলের আয়ু = 400 বছর। 75% ক্ষয় হতে সময় লাগবে = 400×75% = 300 বছর।
5859. একটি Regulated power supply-এ একই ধরনের দুটি ১৫ volt-এর Zener diode series-এ থাকলে regulated output voltage হবে-
১৫V
৭.৫V
৩০V
কোনোটিই নয়
5860. n-p-n ট্রানজিস্টরে 'p' অংশটি কী?
নিয়ন্ত্রক
সংগ্রাহক
ভিত্তি
বিবর্ধক
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: P এখানে Base (ভিত্তি) হিসেবে কাজ করে। এটি পাতলা ও হালকা doping করা হয়। hole এবং Electrons flow Control করাই হলো Base-এর কাজ। এটা Collector current-কে Control করে।