MCQ
5821. মেটালিক বন্ডিং হয়-
সন্নিহিত অ্যাটমসের মধ্যবর্তী ইলেকট্রনসের শেয়ারিং- এর কারণে
ইলেকট্রন ক্লাউসের ওভারল্যাপিং-এর কারণে
আয়ন কোরসের মধ্যবর্তী আকর্ষণের কারণে
আয়ন কোরস এবং ইলেকট্রনসের মধ্যবর্তী আকর্ষণের কারণে
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: Metallic bonding বা ধাতব বন্ধন হলো এক ধরনের রাসায়নিক বন্ধন যা পরিবাহীর ইলেকট্রন এবং ঋণাত্মক চার্জযুক্ত ধাতব আয়নগুলোর মধ্যে ইলেকট্রোস্ট্যাটিক আকর্ষণ বলের কারণে উদ্ভূত হয়।
5822. একটি ব্রিজ রেক্টিফায়ারের রিপল ফ্যাক্টর কত?
0.48
1.21
0.812
1.11
5823. যে Electric circuit-এর মাধ্যমে DC-কে AC করা হয়, তার নাম কী?
Rectifier
DC Generator
Inverter
Converter
5824. স্বাভাবিক তাপমাত্রায় একটি পি-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর অ্যাকসেপ্টার অ্যাটমস-
একটি পজিটিভ চার্জ বহন করে
একটি নেগেটিভ চার্জ বহন করে
নিরপেক্ষ
একটি পজিটিভ চার্জ ও একটি নেগেটিভ চার্জ বহন করে
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: In p-type semiconductor, the number of free electrons (n) increases with the increase in temperature, but number of holes remain constant.
5825. পরস্পর সন্নিহিত দুটি অ্যাটমের মধ্যে সর্বাপেক্ষা নিকটবর্তী দূরত্ব হলো-
10 × 10-10 মিটার
1 × 10-5 মিটার
2 × 10-10 মিটার
2 × 10-12 মিটার
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: The atomic spacing between two bonded atoms is generally around a few angstroms (A), which is on the order of 10-10 meter.
5826. পিভিসি নিম্নের কোনটির পলিমার?
ফেনল এবং ফরমালডিহাইড
ইথিলিন
ভিনাইল ক্লোরাইড
উপরের কোনোটিই নয়
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: PVC is produced by polymerization of the vinyl chloride monomer.
5827. সলিডের আয়োনিক বন্ডিং প্রাথমিকভাবে নির্ভর করে-
ভ্যান্ডার ওয়ালস ফোর্সেস-এর উপর
ইলেকট্রিক্যাল ডাইপোলস-এর উপর
শেয়ারিং অব ইলেকট্রনস-এর উপর
ট্র্যান্সফার অব ইলেকট্রনস-এর উপর
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: An ionic bond is the electrostatic force that holds ions together in an ionic compound. The strength of the ionic bond is directly dependent upon the quantity of the charges and inversely dependent on the distance between the charged particles.
5828. Transistor-এর যে অংশ সবচেয়ে বেশি Doping করা হয়, তা হচ্ছে-
Emitter
Collector
Base
উপরের সবকয়টি
5829. একটি কো-ভ্যালেন্ট বন্ডের বৈশিষ্ট্য নির্ধারিত হয়-
8-N রুল দ্বারা
মলিকুলার অরবিটালস দ্বারা
ক্রিস্টালানিটি দ্বারা
ইলেকট্রন ভেলোসিটি দ্বারা
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: পরমাণুর শেষ কক্ষপাতের ইলেকট্রনসমূহ যে বন্ধনের মাধ্যমে একটি আরেকটির সাথে সংযুক্ত থাকে সেই বন্ধনকে কো- ভ্যালেন্ট বন্ড বলে। পরমাণুর শেষ কক্ষপথের ইলেকট্রনসমূহকে ভ্যালেন্স ইলেকট্রন বলে।
5830. PN Diode-কে Reverse Blase করলে-
রোধ বাড়ে
রোধ কমে
বিদ্যুৎ প্রবাহ বাড়ে
কোনোটিই নয়
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
বেসিক ইলেক্ট্রনিক্স all mcq
Besic electronics mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: PN Diode- Reverse voltage প্রয়োগ করলে Junction এর Depletion region বৃদ্ধি পায় এবং Diode-এর রেজিট্যান্স বেড়ে গিয়ে ইনসুলেটরের ন্যায় কাজ করে।
5831. একটি silicon NPN transistor-কে ON করার জন্য Base-এ কত Voltage প্রয়োজন?
-0.7V
+0.7V
+0.3V
-0.3V
5832. আয়োনিক বন্ডের ইলেকট্রোস্ট্যাটিক নেচার এটিকে কোন ধরনের বন্ড হিসেবে তৈরি করে?
ডিরেকশনাল
নন-ডিরেকশনাল
দুর্বল
গ্রুপ IV এলিমেন্টসে প্রযোজ্য
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: An ionic bond is a type of chemical bond formed through an electrostatic attraction between two oppositely charged ions. Ionic bonds are formed between a cation, which is usually a metal which is usually a nonmetal direction.
5833. কোনটি সক্রিয় ডিভাইস?
রোধ
ডায়োড
ধারক
আবেশক
5834. একটি প্যারাম্যাগনেটিক পারমিয়্যাবিলিটি হলো- ম্যাটেরিয়ালের রিলেটিভ
এক
একের চেয়ে কম
একের চেয়ে সামান্য বেশি
কয়েক শত
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: The relative permeability of vacuum is 1. Materials can be classified into 3 groups with regard to their relative permeability. Diamagnetic materials 0 ≤µ, < 1.
Paramagnetic matereals µ, > 1
5835. সিলিকনের সাথে কোন পদার্থ যোগ করলে তা p-টাইপে পরিণত হয়?
ফসফরাস
বোরন
হাইড্রোজেন
কার্বন
5836. একটি PNP ট্রানজিস্টরে থাকে-
৩টি P-N জাংশন
২টি P ও একটি N রিজিয়ন
শুধুমাত্র ডোনার আয়নস
শুধুমাত্র অ্যাকসেপ্টর আয়নস
5837. জেনার ডায়োড মূলত কী হিসেবে ব্যবহৃত হয়?
অ্যামপ্লিফায়ার
অসিলেটর
ভোল্টেজ রেগুলেটর
রেক্টিফায়ার
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
বেসিক ইলেক্ট্রনিক্স all mcq
Besic electronics mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যাঃ নির্দিষ্ট রেঞ্জের ইনপুট ভোল্টেজ পরিবর্তন করলেও জেনার ডায়োড-এর কারণে আউটপুট ভোল্টেজ স্থির থাকে, তাই জেনার ডায়োড ভোল্টেজ রেগুলেটর হিসাবে ব্যবহৃত হয়।
5838. Break-down অবস্থায় কাজ করার জন্য যে Diode ব্যবহার করা হয়-
সাধারণ PN Diode
টানেল diode
ভ্যারেক্টর Diode
Zener Diode
5839. পোলারাইজেশন দূর করার জন্য ব্যবহৃত হয়-
ম্যাগনেশিয়াম অক্সাইড
হাইড্রোক্লোরিক অ্যাসিড
অ্যামোনিয়াম সালফেট
ম্যাঙ্গানিজ ডাই-অক্সাইড
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
বেসিক ইলেক্ট্রনিক্স all mcq
Besic electronics mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: পরিমাণকে বৈদ্যুতিক পোলারাইজেশন বলে। এই পোলারাইজেশনকে দূর করার জন্য ডিপোলারাইজার ব্যবহার করা হয়। যেমন- ম্যাঙ্গানিজ ডাই-অক্সাইড, পটাশিয়াম ডাইক্রোমেট।
5840. তামা ও দস্তার মিশ্রণের ফলে সৃষ্ট সংকর ধাতু কোনটি?
Babbit metal
Monem metal
Brass
Bronze