EC
Engineering Classroom
by Himalay Sen

Exams

Prepare for your next test with our collection of exam-based practice sets and question banks designed for effective assessment and revision.

Courses

Discover our wide range of online courses designed to help you learn new skills, master complex topics, and achieve your academic or career goals.

সালের প্রশ্ন

Access past board exam questions organized by year and subject to help you understand patterns, improve preparation, and boost your exam performance.

বেসিক ইলেকট্রনিক্স MCQ
ইলেকট্রনিক্স ডিপার্টমেন্টের বেসিক ইলেকট্রনিক্স সাবজেক্টের সকল MCQ প্রশ্ন এই ফোল্ডারে পাবেন। ইলেকট্রনিক্স ইঞ্জিনিয়ারিং এ চাকরি প্রস্তুতির জন্য ডিপার্টমেন্ট ও নন-ডিপার্টমেন্টের সকল MCQ ও আপডেট প্রশ্ন উত্তর সহ এই গ্রুপে পাবেন। ইঞ্জিনিয়ারিং চাকরি প্রস্তুতির জন্য আমাদের App: Engineering Classroom গুগল প্লে-স্টোর থেকে ডাউনলোড করে নিন।
161. যখন একটি সার্কিটে ব্যবহৃত হয়, তখন একটি জিনার ডায়োড সর্বদাই-
ফরওয়ার্ড বায়াসড হয়
সিরিজে সংযুক্ত হয়
ওভারহিটিং-এ অসুবিধা করে
রিভার্স বায়াসড হয়
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: জিনার ডায়োড সর্বদাই রিভার্স বায়াসে সংযোগ থাকে।
162. কক্ষ তাপমাত্রায় পি-টাইপ পদার্থে থাকে-
অধিকসংখ্যক ইলেকট্রন
অধিকসংখ্যক হোল
সমান সংখ্যক ইলেকট্রন ও হোল
কোনটিই নয়
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: পি-টাইপে অধিক সংখ্যক হোল থাকে।
163. কক্ষ তাপমাত্রায় ইনট্রিনসিক সেমিকন্ডাক্টর কন্ডাকশন হয়-
ইলেকট্রন দ্বারা
হোল দ্বারা
ইলেকট্রন এবং হোল উভয়ই
কোনো কন্ডাকশন হয় না
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: কক্ষ তাপমাত্রায় ইনট্রিনসিক সেমিকন্ডাক্টর কন্ডাকশন হয়, ইলেকট্রন এবং হোল উভয়ই দ্বারা।
164. মুক্ত ইলেকট্রন থাকে-
প্রথম ব্যান্ডে
দ্বিতীয় ব্যান্ডে
তৃতীয় ব্যান্ডে
কন্ডাকশন ব্যান্ডে
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: কন্ডাকশন ব্যান্ডে মুক্ত ইলেকট্রন থাকে।
165. যখন একটি ইলেকট্রন কো-ভ্যালেন্ট বন্ড ভেঙে দূরে চলে যায়, তখন-
একটি 'হোল'-এর সৃষ্টি হয়
একটি প্রোটন নষ্ট হয়
অ্যাটম আয়নে পরিণত হয়
বাকি ইলেকট্রনগুলো দ্রুত ঘুরতে থাকে
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: যখন একটি ইলেকট্রন কো-ভ্যালেন্ট বন্ড ভেঙে দূরে চলে যায়, তখন একটি 'হোল'-এর সৃষ্টি হয়।
166. একটি সেমিকন্ডাক্টরের টেম্পারেচার কো-ইফিসিয়েন্ট অব রেজিস্ট্যান্স-ায়ায় মে---
শূন্য হতে পারে
নেগেটিভ হতে পারে
পজিটিভ হতে পারে
উপরের কোনোটিই নয়
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: একটি সেমিকন্ডাক্টরের রেজিস্ট্যান্স নেগেটিভ হয়। টেম্পারেচার কো-ইফিসিয়েন্ট অব
167. সাধারণত যে-সকল পদার্থে 'হোল' পাওয়া যায়-
ধাতব পদার্থে
সেমিকন্ডাক্টরে
ইনসুলেটরে
কোনোটিই নয়
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: কন্ডাক্টরে এবং ইদুলেটরে কোনো হোল নেই। পি-টাইপ সেকিন্ডাক্টরে মেজোরিটি হোল, মাইনোরিটি ইলেকট্রন থাকে।
168. ভ্যালেন্স ইলেকট্রন হলো-
অবিন্যস্তভাবে সজ্জিত ইলেকট্রন
চলমান ইলেকট্রন
বাইরের অরবিটে অবস্থিত ইলেকট্রন
চার্জহীন ইলেকট্রন
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: পরমাণুর শেষ কক্ষপাতের ইলেকট্রনসমূহকে ভ্যালেন্স ইলেকট্রন বলে।
169. কোনো সেমিকন্ডাক্টর যখন খাঁটি (Pure) অবস্থায় থাকে, তখন তাকে বলে-
ইনট্রিনসিক সেমিকন্ডাক্টর
এক্সট্রিনসিক সেমিকন্ডাক্টর
পি-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর
এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: ইনট্রিনসিক সেমিকন্ডাক্টরকে খাঁটি সেমিকন্ডাক্টর বলে।
170. ভ্যালেন্স ব্যান্ড এবং কন্ডাকশন ব্যান্ডের মধ্যবর্তী ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপ খুব কম হয়-
ধাতুর ক্ষেত্রে
সেমিকন্ডাক্টর-এর ক্ষেত্রে
ইনসুলেটর-এর ক্ষেত্রে
উপরের সবগুলো
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা : ধাতু বা পরিবাহীর ক্ষেত্রে ভ্যালেন্স ব্যান্ড এবং কন্ডাকশন ব্যান্ডের মধ্যবর্তী ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপ খুব কম হয়।
171. সিলিকন অ্যাটমে মোট ইলেকট্রনের সংখ্যা-
।।টি
14টি
1৪টি
21টি
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: সিলিকন অ্যাটমের মোট ইলেকট্রন সংখ্যা = 14টি
172. কক্ষ তাপমাত্রায় এন-টাইপ পদার্থে থাকে-
অধিকসংখ্যক ইলেকট্রন
সমান সংখ্যক ইলেকট্রন ও হোল
কোনোটিই নয়
অধিকসংখ্যক হোল
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: এন-টাইপে অধিক সংখ্যক ইলেকট্রন থাকে।
173. কোনো সেমিকন্ডাক্টরের রেজিস্টিভিটি-
তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে বৃদ্ধি পায়
তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে হ্রাস পায়
তাপমাত্রা কমবেশি করলে একই থাকে
উপরের কোনোটিই নয়
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: সেমিকন্ডাক্টরের রেজিস্টিভিটি তাপমাত্রার সাথে ব্যস্তানুপাতিক।
174. ভ্যালেন্স ব্যান্ড এবং কন্ডাকশন ব্যান্ডের মধ্যবর্তী ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপ বেশি হয়-
সেমিকন্ডাক্টর-এর ক্ষেত্রে
সকল ধাতুর ক্ষেত্রে
কারেন্ট পরিবহনের ভালো কন্ডাক্টর-এর ক্ষেত্রে
ইনসুলেটর-এর ক্ষেত্রে
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: ইনসুলেটরের ক্ষেত্রে ভ্যালেন্স ব্যান্ড এবং কন্ডাকশন ব্যান্ডের মধ্যবর্তী ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপ সবচেয়ে বেশি হয়।
175. সিলিকনের ক্ষেত্রে ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপের মান হয়-
0.7 eV
0.9 eV
1.1 eV
1.5 eV
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: সিলিকনের (Si) ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপ = 1.1 ev
176. অধিক তাপমাত্রায় কাজের উপযোগী সেমিকন্ডাক্টর হলো-
সিলিকন
আর্সেনিক
ফসফাইড কার্বন
জার্মেনিয়াম
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: অধিক তাপমাত্রায় কাজের উপযোগী সেমিকন্ডাক্টর হলো- সিলিকন।
177. জার্মেনিয়ামের ক্ষেত্রে ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপের মান হয়-
0.7 eV
0.9 eV
1.1 eV
1.5 eV
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: জার্মেনিয়াম (Ge)-এর ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপ = 0.7 ev
178. ০°K তাপমাত্রায় একটি সেমিকন্ডাক্টর যে রকম আচরণ করে-
ইনসুলেটর
ভালো কন্ডাক্টর
সুপার-কন্ডাক্টর
পরিবর্তনশীল রেজিস্টর
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: ০°K তাপমাত্রায় একটি সেমিকন্ডাক্টর ইনসুলেটর-এর ন্যায় আচরণ করে।
179. জার্মেনিয়াম অ্যাটমে মোট ইলেকট্রনের সংখ্যা-
14টি
16টি
29টি
32টি
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: জার্মেনিয়াম অ্যাটমের মোট ইলেকট্রন সংখ্যা = 32টি
180. একটি জার্মেনিয়াম অ্যাটমের-
চারটি ভ্যালেন্স ইলেকট্রন আছে
চারটি প্রোটন আছে
তিনটি ভ্যালেন্স ইলেকট্রন আছে
দুটি ইলেকট্রন অরবিট আছে
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: জার্মেনিয়ামের পারমাণবিক সংখ্যা= 32টি