Image
1.0.0
MCQ
2881. FET কোন ধরনের ডিভাইস?
Bipolar
Unipolar
কওখ
কোনোটাই নয়
2882. ডিজিটাল ঘড়ি বা ক্যালকুলেটরে কালচে অনুজ্জ্বল যে লেখা ফুটে উঠে তা কী দিয়ে তৈরি হয়?
এল.ই.ডি
এল.সি.ডি
আই.সি
সিলিকন চিপ
ব্যাখ্যা: সিলিকন চিপ হচ্ছে অর্ধপরিবাহী সিলিকনের জন্য তৈরি এক ধরনের চিপ, যা সংখ্যামান প্রদর্শনের জন্য ডিজিটাল ঘড়ি বা ক্যালকুলেটরে ডিসপ্লে করার জন্য ব্যবহৃত হয়। অন্যদিকে, LED ও LCD উন্নতমানের দুটি মনিটর।
2883. Zener Diode কোন বায়াসে সবসময় কাজ করে?
Forward
Reverse
কওখ
কোনোটিই নয়
ব্যাখ্যা: Zener Diode এবং Photo Diode রিভার্স বায়াসে সংযুক্ত থাকে বলে তার রিভার্স বায়াসেই কাজ করে।
2884. নিম্নের কোন Material-টি Infrared LED-এর জন্যে ব্যবহার হয়?
Silicon
Germanium
Gallium-arsenide
Boron
ব্যাখ্যা: Gallium-Arumide (GaAs)-এ খুবই কম পরিমাণ নয়েজ উৎপা হয় বলে Infrared LED-তে GaAS ব্যবহার করা হয়। বিশেষ করে দুর্বল সিগন্যাল অ্যামপ্লিফিকেশনের জন্য এর ব্যাবহার গুরুত্বপূর্ণ।
2885. BJT-তে কয় ধরনের Noise Source আছে?
৩
২
8
2886. যে Electric circuit-এর মাধ্যমে DC-কে AC করা হয়, তার নাম কী?
Rectifier
DC Generator
Inverter
Converter
2887. ৮৫% দক্ষতার একটি ট্রানজিস্টর অ্যামপ্লিফায়ার কোন ক্লাসের অন্তর্ভুক্ত?
A
B
AB
C
2888. একটি silicon NPN transistor-কে ON করার জন্য Base-এ কত Voltage প্রয়োজন?
-0.7V
+0.7V
+0.3V
-0.3V
2889. আয়োনোস্কেয়ার গঠিত হয়-
Positive চার্জ স্তর দ্বারা
Negative চার্জ স্তর দ্বারা
Neutral স্তর দ্বারা
কও খদ্বারা
ব্যাখ্যা: ভূপৃষ্ঠের উর্ধ্বে ৮০ কিমি থেকে ৬৪০ কিমি পর্যন্ত উচ্চতায় বিস্তৃত এলাকাকে আয়োনোস্কয়ার বলে। এ স্তরে H. Hr. Or গ্যাস আয়নিত অবস্থায় আছে। এটি Negative দ্বারা গঠিত।
2890. একটি ব্রিজ রেক্টিফায়ারের রিপল ফ্যাক্টর কত?
0.48
1.21
0.812
1.11
2891. কোনটি Transistor নয়?
BJT
IGBT
MOSFET
SCR
2892. আয়োনিক বন্ডের ইলেকট্রোস্ট্যাটিক নেচার এটিকে কোন ধরনের বন্ড হিসেবে তৈরি করে?
ডিরেকশনাল
নন-ডিরেকশনাল
দুর্বল
গ্রুপ IV এলিমেন্টসে প্রযোজ্য
An ionic bond is a type of chemical bond formed through an electrostatic attraction between two oppositely charged ions. Ionic bonds are formed between a cation, which is usually a metal which is usually a nonmetal direction.
2893. Break-down অবস্থায় কাজ করার জন্য যে Diode ব্যবহার করা হয়-
সাধারণ PN Diode
টানেল diode
ভ্যারেক্টর Diode
Zener Diode
2894. একটি কো-ভ্যালেন্ট বন্ডের বৈশিষ্ট্য নির্ধারিত হয়-
8-N রুল দ্বারা
মলিকুলার অরবিটালস দ্বারা
ক্রিস্টালানিটি দ্বারা
ইলেকট্রন ভেলোসিটি দ্বারা
পরমাণুর শেষ কক্ষপাতের ইলেকট্রনসমূহ যে বন্ধনের মাধ্যমে একটি আরেকটির সাথে সংযুক্ত থাকে সেই বন্ধনকে কো- ভ্যালেন্ট বন্ড বলে। পরমাণুর শেষ কক্ষপথের ইলেকট্রনসমূহকে ভ্যালেন্স ইলেকট্রন বলে।
2895. মেটালিক বন্ডিং হয়-
সন্নিহিত অ্যাটমসের মধ্যবর্তী ইলেকট্রনসের শেয়ারিং- এর কারণে
ইলেকট্রন ক্লাউসের ওভারল্যাপিং-এর কারণে
আয়ন কোরসের মধ্যবর্তী আকর্ষণের কারণে
আয়ন কোরস এবং ইলেকট্রনসের মধ্যবর্তী আকর্ষণের কারণে
Metallic bonding বা ধাতব বন্ধন হলো এক ধরনের রাসায়নিক বন্ধন যা পরিবাহীর ইলেকট্রন এবং ঋণাত্মক চার্জযুক্ত ধাতব আয়নগুলোর মধ্যে ইলেকট্রোস্ট্যাটিক আকর্ষণ বলের কারণে উদ্ভূত হয়।
2896. যে ইলেকট্রনিক বর্তনী পরিবর্তিত বিদ্যুৎপ্রবাহকে সরল একদিক বিদ্যুৎপ্রবাহে পরিণত করে, তাকে কী বলা হয়?
মডুলেটর
রেকটিফায়ার
রেগুলেটর
অসিলেটর
2897. একটি CE সংযুক্ত ট্রানজিস্টরে ইনপুট এবং আউটপুটের মধ্যে ফেজ শিফট কত হবে?
0°
180°
90°
270°
2898. If I = 10mA, I = ImA, then a = ?
0.909
0.1
10
None
2899. যদি একটি মৌলিক পদার্থের পারমাণবিক সংখ্যা Z হয় এবং এর পারমাণবিক ওজন A হয়, তবে নিউক্লিয়াসে প্রোটনের সংখ্যা হয়-
Z
A-Z
A
A+Z
কোন মৌলের পারমাণবিক সংখ্যা Z হলে, তার নিউক্লিয়াসে ততটি প্রোটন থাকে। যদি কোনো পরমাণুর পারমাণবিক সংখ্যা Z হয়, তবে সেই পরমাণুতে ২ সংখ্যক ইলেকট্রন ও প্রোটন আছে। পরমাণুর ভর সংখ্যা A হলে, নিউট্রনের সংখ্যা = A-Z
2900. Transistor-এর যে অংশ সবচেয়ে বেশি Doping করা হয়, তা হচ্ছে-
Emitter
Collector
Base
উপরের সবকয়টি