Image
MCQ
1661. বাইপোলার লজিক গোষ্ঠী বলতে বুঝায়-
জংশন ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর
P-N জংশন
n-p-n ট্রানজিস্টর
MOSFET'S
1662. CMOS ডিভাইসের জন্য গ্রহণযোগ্য সরবরাহ ভোল্টেজ-
+5 ভোল্ট
-5 ভোল্ট
3 থেকে 15 ভোল্ট
+-5 ভোল্ট
1663. "লজিক গেইটের আউটপুট LOW হবে, যদি কমপক্ষে এর একটি ইনপুট LOW হয়”-এই উক্তিটি নিম্নের কোন গেইটের ক্ষেত্রে সত্য?
AND
OR
NAND
NOR
1664. AND, OR, NOT ইত্যাদি গেইটের ডিজিটাল অপারেশন সম্পাদন করা যায়-
সুইচ ব্যবহার করে
অ্যামপ্লিফায়ার ব্যবহার করে
রেকটিফায়ার ব্যবহার করে
অসিলেটর ব্যবহার করে
1665. এসি সিগন্যাল কী ধরনের সিগন্যাল?
অ্যানালগ সিগন্যাল
ডিজিটাল সিগন্যাল
কোনোটিই নয়
মডুলেটেড সিগন্যাল
1666. লজিক গেইট দিয়ে-
সংকেতকে শক্তিশালী করা হয়
সিদ্ধান্ত গ্রহণ করা হয়
বিভব নিয়ন্ত্রণ করা হয়
বাইনারি অ্যালজেবরার বাস্তব প্রয়োগ করা হয়
1667. "লজিক গেইটের আউটপুট HIGH হবে, যদি এর সবগুলো ইনপুট HIGH হয়"-এই উক্তিটি কোন গেইটের ক্ষেত্রে সত্য?
EX-OR
AND
OR
NAND
1669. কম্বিনেশনাল বর্তনীতে-
Feedback সংকেত থাকে
নির্গমন সংকেতের মান গ্রহণ সংকেতের মানের সমান
কোনো ইলেকট্রনিক স্মৃতি ব্যবহার করা হয় না
শুধুমাত্র NOR gate থাকে
1670. শিল্পকারখানায় উচ্চ নয়েজযুক্ত পরিবেশে ব্যবহারে বেশি উপযোগী লজিক গোষ্ঠী হলো-
TTL
HTL
MOS
ECL
1672. RTL সার্কিট গঠিত হয়-
ডায়োড এবং রেজিস্টার দিয়ে
ট্রানজিস্টর এবং রেজিস্টার দিয়ে
FET এবং রেজিস্টার দিয়ে
MOS ডিভাইস এবং রেজিস্টার দিয়ে
1673. আর্থিং লিড এবং বৈদ্যুতিক যন্ত্রপাতির বাইরের ধাতব আবরণের মধ্যে যে তার দিয়ে সংযোগ করা হয়, সেই তারকে বলা হয়--
আর্থিং লিড
আর্থ ইলেকট্রোড
আর্থ কন্টিনিউইটি তার
আর্থ কানেক্টর
1675. MOS লজিক সার্কিট গঠিত হয়-
শুধুমাত্র MOS ডিভাইস দ্বারা
MOS ডিভাইস এবং রেজিস্টার দ্বারা
MOS ডিভাইস এবং ডায়োড দ্বারা
MOS এবং বাইপোলার ডিভাইস দ্বারা
1676. প্রথম যান্ত্রিক ক্যালকুলেটর তৈরি করেন-
চার্লস ব্যাবেজ
লাইবনিৎস
জর্জ বুল
ডরফেল্ট
1678. TTL বর্তনীর অপারেশনের গতি-
DTL বর্তনীর সমান
DTL বর্তনীর চেয়ে কম
DTL বর্তনীর সমান কিংবা বেশি
DTL বর্তনীর চেয়ে বেশি
1679. TTL বর্তনী অ্যাকটিভ পুল-আপ বর্তনী হিসেবে ব্যবহার করার উপযোগী হওয়ার কারণ-
Wired AND অপারেশনের জন্য
Bus-operated system-এর জন্য
Wired logic অপারেশনের জন্য
কম শক্তিক্ষয় এবং অপারেশনের গতি বেশি হওয়ার জন্য
1680. CMOS লজিক গঠিত হয়-
n-চ্যানেল MOS ডিভাইস দ্বারা
P-চ্যানেল MOS ডিভাইস দ্বারা
MOS ডিভাইস এবং ক্যাপাসিটার দ্বারা
P-চ্যানেল এবং N-চ্যানেল MOS ডিভাইস দ্বারা