EC
Engineering Classroom
by Himalay Sen

Exams

Prepare for your next test with our collection of exam-based practice sets and question banks designed for effective assessment and revision.

সালের প্রশ্ন

Access past board exam questions organized by year and subject to help you understand patterns, improve preparation, and boost your exam performance.

MCQ
5761. ডায়োডের বা P-N জাংশনের ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল বাধা প্রদান করে শুধুমাত্র-
P স্তরের হোলসমূহকে
N স্তরের ইলেকট্রনসমূহকে
উভয় স্তরের মেজরিটি ক্যারিয়াসমূহকে'
উভয় স্তরের মাইনরিটি ক্যারিয়ারসমূহকে
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: P-N জাংশনের ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল উভয়স্তরের মেজোরিটি ক্যারিয়ারসমূহকে বাধা প্রদান করে।
5762. SCR চালু রাখতে কমপক্ষে যে পরিমাণ বিদ্যুৎপ্রবাহ প্রয়োজন হয়, তাকে কারেন্ট বলে---
হোল্ডিং
কমুটেশন
গেইট ট্রিগার
ব্রেক ওভার
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: SCR চালু করতে যে কারেন্ট প্রবাহ প্রয়োজন, তাকে গেইট ট্রিগার কারেন্ট বলে। SCR-এর Forward অবস্থা বজায় রাখার জন্য যে কারেন্ট প্রয়োজন হয়, তাকে হোল্ডিং কারেন্ট বলে। গেইট পালস্ সরিয়ে নেয়ার পর SCR-কে অন রাখতে যে কারেন্ট প্রয়োজন, তাকে Latching কারেন্ট বলে।
5763. এক ন্যানো-অ্যাম্পিয়ার সমান-
10^-6 অ্যাম্পিয়ার সমান
10^6 অ্যাম্পিয়ার
10 অ্যাম্পিয়ার
10^-9 অ্যাম্পিয়ার
5764. কোনো পরমাণুর চতুর্থ কক্ষের ইলেকট্রন সংখ্যা-
9 টি
16টি
1৪টি
32টি
5765. তাপমাত্রা কমলে সেমিকন্ডাক্টর রেজিস্টিভিটি-
স্থির থাকে
কমে
বাড়ে
প্রথমে কমে তারপর স্থির থাকে
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: স্বাভাবিক তাপমাত্রায় সেমিকন্ডাক্টরের মধ্য দিয়ে কারেন্ট প্রবাহিত হয় না। কিন্তু সেমিকন্ডাক্টর Negative temperature coefficient- যুক্ত পদার্থ অর্থাৎ সেমিকন্ডাক্টরের তাপমাত্রা বাড়লে রেজিস্টিভিটি কমে এবং তাপমাত্রা কমলে রেজিস্টিভিটি বাড়ে।
5766. এলইডি-এর ভোল্টেজ ড্রপ সাধারণত-
1V
2.5V
2V
3V
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যাঃ LED ফরওয়ার্ড ভোল্টেজের মান 1.2V হতে 2.5V পর্যন্ত। LED Colour Voltage drop 20(mA) RED 1.8V Orange 2V Yellow 2.3V Green 3.5V Blue 3.6V White 4V
5767. ০ থেকে ৯ পর্যন্ত অঙ্কগুলোকে দৃশ্যমান করার কাজে ব্যবহৃত এলইডি-এর সংখ্যা-
৫টি
৬টি
৭টি
৮টি
5768. P-N জাংশন ডায়োডের অ্যানোড ও ক্যাথোড নির্ণয়ে ব্যবহৃত হয়-
অ্যামিটার
ভোল্টমিটার
ওয়াটমিটার
ওহমমিটার
ব্যাখ্যা: ব‍্যাখ্যা: PN Junction diode- Anode Cathode নিরূপণে মাল্টিমিটার ব্যবহার করা হয়। মাল্টিমিটারের নব ওহমমিটারে সিলেক্ট করে লাল ও কালো প্রোব দিয়ে Diode-এর দুই প্রান্তে ধরে Diode-এর Anode Cathode নিরূপণ করা হয়।
5769. সেমিকন্ডাক্টরের ভ্যালেন্স ব্যান্ড এবং কন্ডাকশন ব্যান্ডের মধ্যবর্তী এনার্জি গ্যাপ হলো-
1eV
2eV
5eV
7eV
5770. P-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর প্রস্তুত করতে প্রয়োজন হয়-
দ্বিযোজী ভেজাল মৌল
ত্রিযোজী ভেজাল মৌল
চতুর্যোজী ভেজাল মৌল
পঞ্চযোজী ভেজাল মৌল
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরি করার জন্য বিশুদ্ধ সেমিকন্ডাক্টরের (Silicon, Germanium) সাথে ভেজাল হিসেবে ত্রিযোজী মৌল (Gallium, Indium, Aluminium ইত্যাদি) মিশ্রিত করা হয়।
5771. জামেনিয়াম P-N জাংশন ডায়োডের ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল-
0.07V
0.7V
0.3V
1.3V
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: জার্মেনিয়াম PN জাংশন ডায়োডের ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল ভোল্টেজ ০.3V এবং সিলিকন-এর ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল ভোল্টেজ 0.7V।
5772. পরিবাহীতে ভ্যালেন্স ইলেকট্রন থাকে-
4টির বেশি
4টি
4টির কম
কোনোটিই নয়
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা:ধাতব মৌলসমূহ সাধারণত বিদ্যুৎ পরিবাহী পদার্থ হিসেবে ব্যবহৃত হয়। এসব ধাতব মৌলের পরমাণুর সর্বশেষ কক্ষপথে। টি বা ২টি বা ওটি ইলেকট্রন থাকে। ফলে এরা সহজেই। টি বা ২টি বা এটি ইলেকট্রন দান করে ধনাত্মক আয়নে পরিণত হয় এবং বিদ্যুৎ পরিবহন করে। সুতরাং, এসব মৌলের ভ্যালেন্স ইলেকট্রনের সংখ্যা এটির কম হয়। অর্থাৎ, সর্বশেষ স্তরে ইলেকট্রনের সংখ্যা 4টির কম।
5773. ফুল-ওয়েভ রেক্টিফায়েড ভোল্টেজ এবং কারেন্ট রিপ্ল ফ্যাক্টর-
0.44
0.46
0.48
0.50
5774. এলইডি থেকে লাল অথবা হলুদ আলো পাওয়া যায়, যদি তা তৈরি হয়-
GaAs দ্বারা
Ge দ্বারা
GaP দ্বারা
GaAs P দ্বারা
ব্যাখ্যা: ব‍্যাখ্যা: GaP দ্বারা তৈরি LED থেকে লাল, সবুজ এবং হলুদ আলো পাওয়া যায়। GaAs→ ইনফ্রারেড GaAs P→ লাল এবং কমলা।
5775. এলইডি-এর স্তর তৈরি করা হয়-
Si দ্বারা
Pদ্বারা
Ge দ্বারা
GaAs দ্বারা
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: LED বিশেষ ধরনের পদার্থ বা উপাদান দিয়ে তৈরি। এজন্য একে বিশেষ ডায়োড বলা হয়। এর উপাদানগুলো হলো- Gallium, Arsenic এবং Phosphorus LED-এর স্তর তৈরি হয় Gallium এবং Arsenic পদার্থ দিয়ে।
5776. 10 মাইক্রোফ্যারাডকে ফ্যারাডে প্রকাশ করলে হয়-
10 × 10^-9 ফ্যারাড
10 × 10^-6 ফ্যারাড
10 × 10^-3 ফ্যারাড
10 × 10^-4 ফ্যারাড
5777. লাল (Infrared) আলো প্রদানকারী এলইডি তৈরি করা হয়-
Ge দ্বারা
GaAs দ্বারা
GaP দ্বারা
GaAs P দ্বারা
5778. সেমিকন্ডাক্টর কৌশলসমূহে ডোপিং করা হয় কেন?
অধিক পাওয়ার বৃদ্ধি করার জন্য
কারেন্ট প্রবাহ নিয়ন্ত্রণ করার জন্য
তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ করার জন্য
সেমিকন্ডাক্টরকে দীর্ঘস্থায়ী করার জন্য
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: P-type এবং N-type সেমিকন্ডাক্টর তৈরি করার জন্য ডোপিং করা হয়। এর ফলে চার্জগুলো নিয়ন্ত্রণ করে কারেন্ট প্রবাহ নিয়ন্ত্রণ করা যায়।
5780. সেমিকন্ডাক্টরের ভ্যালেন্স ইলেকট্রনের সংখ্যা হলো-
2টি
4টি
5টি
8 টি
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: যে-সব পদার্থের সর্বশেষ স্তরে এটি ইলেকট্রন থাকে, তাদেরকে সেমিকন্ডাক্টর বলে। আর শেষ কক্ষপথের ইলেকট্রন সংখ্যাকে ভ্যালেন্স ইলেকট্রন বলে।