Image
1.0.0
MCQ
161. মুক্ত ইলেকট্রন থাকে-
প্রথম ব্যান্ডে
দ্বিতীয় ব্যান্ডে
তৃতীয় ব্যান্ডে
কন্ডাকশন ব্যান্ডে
ব্যাখ্যা: কন্ডাকশন ব্যান্ডে মুক্ত ইলেকট্রন থাকে।
162. কোনো সেমিকন্ডাক্টরের রেজিস্টিভিটি-
তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে বৃদ্ধি পায়
তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে হ্রাস পায়
তাপমাত্রা কমবেশি করলে একই থাকে
উপরের কোনোটিই নয়
ব্যাখ্যা: সেমিকন্ডাক্টরের রেজিস্টিভিটি তাপমাত্রার সাথে ব্যস্তানুপাতিক।
163. ভ্যালেন্স ইলেকট্রন হলো-
অবিন্যস্তভাবে সজ্জিত ইলেকট্রন
চলমান ইলেকট্রন
বাইরের অরবিটে অবস্থিত ইলেকট্রন
চার্জহীন ইলেকট্রন
ব্যাখ্যা: পরমাণুর শেষ কক্ষপাতের ইলেকট্রনসমূহকে ভ্যালেন্স ইলেকট্রন বলে।
164. কক্ষ তাপমাত্রায় ইনট্রিনসিক সেমিকন্ডাক্টর কন্ডাকশন হয়-
ইলেকট্রন দ্বারা
হোল দ্বারা
ইলেকট্রন এবং হোল উভয়ই
কোনো কন্ডাকশন হয় না
ব্যাখ্যা: কক্ষ তাপমাত্রায় ইনট্রিনসিক সেমিকন্ডাক্টর কন্ডাকশন হয়, ইলেকট্রন এবং হোল উভয়ই দ্বারা।
165. যখন একটি সার্কিটে ব্যবহৃত হয়, তখন একটি জিনার ডায়োড সর্বদাই-
ফরওয়ার্ড বায়াসড হয়
সিরিজে সংযুক্ত হয়
ওভারহিটিং-এ অসুবিধা করে
রিভার্স বায়াসড হয়
ব্যাখ্যা: জিনার ডায়োড সর্বদাই রিভার্স বায়াসে সংযোগ থাকে।
166. সিলিকন অ্যাটমে মোট ইলেকট্রনের সংখ্যা-
।।টি
14টি
1৪টি
21টি
ব্যাখ্যা: সিলিকন অ্যাটমের মোট ইলেকট্রন সংখ্যা = 14টি
167. অধিক তাপমাত্রায় কাজের উপযোগী সেমিকন্ডাক্টর হলো-
সিলিকন
আর্সেনিক
ফসফাইড কার্বন
জার্মেনিয়াম
ব্যাখ্যা: অধিক তাপমাত্রায় কাজের উপযোগী সেমিকন্ডাক্টর হলো- সিলিকন।
168. কক্ষ তাপমাত্রায় এন-টাইপ পদার্থে থাকে-
অধিকসংখ্যক ইলেকট্রন
সমান সংখ্যক ইলেকট্রন ও হোল
কোনোটিই নয়
অধিকসংখ্যক হোল
ব্যাখ্যা: এন-টাইপে অধিক সংখ্যক ইলেকট্রন থাকে।
169. সিলিকনের ক্ষেত্রে ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপের মান হয়-
0.7 eV
0.9 eV
1.1 eV
1.5 eV
ব্যাখ্যা: সিলিকনের (Si) ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপ = 1.1 ev
170. কক্ষ তাপমাত্রায় পি-টাইপ পদার্থে থাকে-
অধিকসংখ্যক ইলেকট্রন
অধিকসংখ্যক হোল
সমান সংখ্যক ইলেকট্রন ও হোল
কোনটিই নয়
ব্যাখ্যা: পি-টাইপে অধিক সংখ্যক হোল থাকে।
171. ভ্যালেন্স ব্যান্ড এবং কন্ডাকশন ব্যান্ডের মধ্যবর্তী ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপ খুব কম হয়-
ধাতুর ক্ষেত্রে
সেমিকন্ডাক্টর-এর ক্ষেত্রে
ইনসুলেটর-এর ক্ষেত্রে
উপরের সবগুলো
ব্যাখ্যা : ধাতু বা পরিবাহীর ক্ষেত্রে ভ্যালেন্স ব্যান্ড এবং কন্ডাকশন ব্যান্ডের মধ্যবর্তী ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপ খুব কম হয়।
172. ০°K তাপমাত্রায় একটি সেমিকন্ডাক্টর যে রকম আচরণ করে-
ইনসুলেটর
ভালো কন্ডাক্টর
সুপার-কন্ডাক্টর
পরিবর্তনশীল রেজিস্টর
ব্যাখ্যা: ০°K তাপমাত্রায় একটি সেমিকন্ডাক্টর ইনসুলেটর-এর ন্যায় আচরণ করে।
173. জার্মেনিয়াম অ্যাটমে মোট ইলেকট্রনের সংখ্যা-
14টি
16টি
29টি
32টি
ব্যাখ্যা: জার্মেনিয়াম অ্যাটমের মোট ইলেকট্রন সংখ্যা = 32টি
174. যখন একটি ইলেকট্রন কো-ভ্যালেন্ট বন্ড ভেঙে দূরে চলে যায়, তখন-
একটি 'হোল'-এর সৃষ্টি হয়
একটি প্রোটন নষ্ট হয়
অ্যাটম আয়নে পরিণত হয়
বাকি ইলেকট্রনগুলো দ্রুত ঘুরতে থাকে
ব্যাখ্যা: যখন একটি ইলেকট্রন কো-ভ্যালেন্ট বন্ড ভেঙে দূরে চলে যায়, তখন একটি 'হোল'-এর সৃষ্টি হয়।
175. ভ্যালেন্স ব্যান্ড এবং কন্ডাকশন ব্যান্ডের মধ্যবর্তী ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপ বেশি হয়-
সেমিকন্ডাক্টর-এর ক্ষেত্রে
সকল ধাতুর ক্ষেত্রে
কারেন্ট পরিবহনের ভালো কন্ডাক্টর-এর ক্ষেত্রে
ইনসুলেটর-এর ক্ষেত্রে
ব্যাখ্যা: ইনসুলেটরের ক্ষেত্রে ভ্যালেন্স ব্যান্ড এবং কন্ডাকশন ব্যান্ডের মধ্যবর্তী ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপ সবচেয়ে বেশি হয়।
176. কোনো সেমিকন্ডাক্টর যখন খাঁটি (Pure) অবস্থায় থাকে, তখন তাকে বলে-
ইনট্রিনসিক সেমিকন্ডাক্টর
এক্সট্রিনসিক সেমিকন্ডাক্টর
পি-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর
এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর
ব্যাখ্যা: ইনট্রিনসিক সেমিকন্ডাক্টরকে খাঁটি সেমিকন্ডাক্টর বলে।
177. জার্মেনিয়ামের ক্ষেত্রে ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপের মান হয়-
0.7 eV
0.9 eV
1.1 eV
1.5 eV
ব্যাখ্যা: জার্মেনিয়াম (Ge)-এর ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপ = 0.7 ev
178. একটি সেমিকন্ডাক্টরের টেম্পারেচার কো-ইফিসিয়েন্ট অব রেজিস্ট্যান্স-ায়ায় মে---
শূন্য হতে পারে
নেগেটিভ হতে পারে
পজিটিভ হতে পারে
উপরের কোনোটিই নয়
ব্যাখ্যা: একটি সেমিকন্ডাক্টরের রেজিস্ট্যান্স নেগেটিভ হয়। টেম্পারেচার কো-ইফিসিয়েন্ট অব
179. সাধারণত যে-সকল পদার্থে 'হোল' পাওয়া যায়-
ধাতব পদার্থে
সেমিকন্ডাক্টরে
ইনসুলেটরে
কোনোটিই নয়
ব্যাখ্যা: কন্ডাক্টরে এবং ইদুলেটরে কোনো হোল নেই। পি-টাইপ সেকিন্ডাক্টরে মেজোরিটি হোল, মাইনোরিটি ইলেকট্রন থাকে।
180. একটি জার্মেনিয়াম অ্যাটমের-
চারটি ভ্যালেন্স ইলেকট্রন আছে
চারটি প্রোটন আছে
তিনটি ভ্যালেন্স ইলেকট্রন আছে
দুটি ইলেকট্রন অরবিট আছে
ব্যাখ্যা: জার্মেনিয়ামের পারমাণবিক সংখ্যা= 32টি