MCQ
2921. গতিশীলতার আবেশিত ইএমএফ-
e = Blv V
e = B/lv V
e = lv/B V
e = Biv/sineθ V
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: গতিশীল আবেশিত Emf = Blv
যেখানে, B = Magnetic field
I = Length of the conductor
v = Velocity.
2922. ম্যাগনেটিক সার্কিটের পারমিয়্যান্স, ইলেকট্রিক সার্কিটের কোনটির মতো-
রেজিস্ট্যান্স
কন্ডাকট্যান্স
রেজিস্টিভিটি
কন্ডাকটিভিটি
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: Conductance = 1/
Permeance = 1/resistance
2923. কাপলিং-এর সহগ (Coefficient of coupling)-
K= √M/L1L2
K= √L1L2/M
K= L1L2/√M
K= M/√ L1L2
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: Coefficient of coupling K = K= M/√ L1L2
Where, M = Mutual Inductance
L1 and L2 = Self Inductance
rang of coefficient of coupling 0 ≤K ≤l
2924. ফ্যারাডের সূত্র অনুযায়ী যখন কোনো পরিবাহী চৌম্বকক্ষেত্রের ভিতর আলোড়িত হয়, তখন উক্ত পরিবাহীতে Emf আবেশিত হয়। এই আবেশিত Emf-এর পরিমাণ বৃদ্ধি-
তারের প্যাঁচের সংখ্যার সাথে সমানুপাতিক
তারের ঘূর্ণন গতির সাথে সমানুপাতিক
চৌম্বকক্ষেত্রের শক্তির সাথে সমানুপাতিক
উপরোক্ত সব কয়টি
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: We know, Emf = NBLV
Where, B = Magnetic field
N = No of turns
V = Velocity
L = the length of the wire
2925. চৌম্বকক্ষেত্রে কারেন্ট বহনকারী পরিবাহীর উপর ক্রিয়াশীল বল নির্ভর করে-
ফ্লাক্সের উপর
কারেন্টের উপর
তারের দৈর্ঘ্যের উপর
সব ক'টির উপর
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: (i) F = ꝕR
(ii) F = NI
(iii) F = HL
উপরের তিনটি সমীকরণ হতে দেখা যায়, ক্রিয়াশীল বল নির্ভর করে ফ্লাক্স, কারেন্ট এবং দৈর্ঘ্যের উপর।
2926. এক বর্গমিটারের মধ্য দিয়ে অতিক্রান্ত ম্যাগনেটিক ফ্লাক্সের পরিমাণকে বলা হয়-
ম্যাগনেটোমোটিভ ফোর্স
ম্যাগনেটিক সার্কিট
ফ্লাক্স ডেনসিটি
রেসিডুয়াল ম্যাগনেটিজম
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: ফ্লাক্স ডেনসিটি B = ꝕ/A
2927. যখন 200 প্যাঁচের একটি কয়েলের মধ্য দিয়ে 2 অ্যাম্পস কারেন্ট প্রবাহিত হয়, তখন 0.2 mwb-এর ফ্লাক্স সৃষ্টি করে। ম্যাগনেটিক সার্কিটের রিলাকট্যান্স
2A
1A/wb
2 AT/wb
2 x 6 wb-J
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: We know, Reluctance Rm = mmf/ φ = NI/ φ = 200x2/0.2×10-3 = 2
2928. যখন দুটি কয়েল সিরিজে সংযোগ করা হয়, তখন সিরিজ অপোজিং-এর বেলায় মোট ইন্ডাকট্যান্স-
L₁ = L₁ + L₂ + 2M
L₁ = L₁ + L₂ -2M
L₁ = L₁ + L₂ + M
L₁ = L₁ + L₂ - M
2929. Controlled Rectifier-এ কোনটি ব্যবহৃত হয়?
Diode
SCR
Snubber
TRIAC
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
বেসিক ইলেক্ট্রনিক্স all mcq
Besic electronics mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: Silicon Controlled Rectifier বা SCR একটি ইলেকট্রনিক ডিভাইস, যা সাধারণত ইলেকট্রনিক সুইচ হিসেবে কাজ করে। এটি এসি প্রবাহকে ডিসি প্রবাহে রূপান্তরিত করে এবং সাথে সাথে লোডে পাওয়ারের পরিমাণ নিয়ন্ত্রণ করে। SCR একই সাথে রেকটিফায়ার এবং ট্রানজিস্টরের কাজ করে।
2930. BJT-এর Base হয়?
Heavily doped
Moderately doped
Not doped
Lightely doped
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
বেসিক ইলেক্ট্রনিক্স all mcq
Besic electronics mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: The heavy doping of the emitter region and the light doping of the base region cause many more electrons to be injected from the emitter into the base than holes to be injected from the base into the emitter.
2931. একটি Regulated power supply-এ একই ধরনের দুটি ১৫ volt-এর Zener diode series-এ থাকলে regulated output voltage হবে-
১৫V
৭.৫V
৩০V
কোনোটিই নয়
2932. যখন দুটি কয়েল সিরিজে সংযোগ করা হয়, তখন সিরিজ এইডিং-এর বেলায় মোট ইন্ডাকট্যান্স-
L₁ = L₁ + L₂ + 2M
L₁= L₁ + L₂ -2M
L₁= L₁ + L₂ /2M
L₁= 2M/√ L₁ + L₂
2933. একটি কয়েলের সেলফ-ইন্ডাকট্যান্স এক হেনরি হবে, যখন-
প্রতি সেকেন্ডে ১ অ্যাম্পিয়ার হারে কারেন্ট পরিবর্তিত হলে এক সেকেন্ডে ১ ভোল্ট Emf আবিষ্ট হয়
এক অ্যাম্পিয়ার কারেন্ট ১ ভোল্ট Emf আবিষ্ট করে
প্রতি সেকেন্ডে এক ভোল্ট Emf পরিবর্তনের ফলে অ্যাম্পিয়ার কারেন্ট আবিষ্ট হয়
প্রতি সেকেন্ডে ১ অ্যাম্পিয়ার হারে কারেন্ট পরিবর্তিত হলে ঐ কয়েলে ১ ভোল্ট Emf আবিষ্ট হয়
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: সুতরাং, প্রতি সেকেন্ডে ১ অ্যাম্পিয়ার হারে কারেন্ট পরিবর্তিত হলে ঐ কয়েলে ১ ভোল্ট Emf আবিষ্ট হয়।
2934. DC voltage বাড়ানোর জন্য কোন Device ব্যবহৃত হয়?
Inverter
Chopper
Snubber
Cyclo-converter
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
বেসিক ইলেক্ট্রনিক্স all mcq
Besic electronics mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যাঃ চপার এক ধরনের স্ট্যাটিক সুইচ, যার সাহায্যে স্থির মানের ডিসি ভোল্টেজকে পরিবর্তনশীল ডিসি ভোল্টেজে রূপান্তর করা যায়।
2935. Zener Diode ব্যবহৃত হয়-
রেক্টিফায়ার হিসেবে
ভোল্টেজ রেগুলেটর
Amplifier হিসেবে
কোনোটিই নয়
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
বেসিক ইলেক্ট্রনিক্স all mcq
Besic electronics mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: জিনার ডায়োড একটি বিশেষ ধরনের ডায়োড, যা রিভার্স বায়াসিং-এর সময় রিভার্স ব্রেক ডাউন রিজিয়নে অপারেট হয়। জিনার ডায়োডের কাজ নিম্নরূপ-
(i) জিনার ডায়োড সার্কিটে ভোল্টেজ রেগুলেটর হিসেবে কাজ করে।
(ii) ভোল্টেজ লিমিটার হিসেবে কাজ করে।
(iii) সার্কিটে স্থির রেফারেন্স ভোল্টেজ প্রদান করে।
2936. সেলফ-ইনডিউসড ইএমএফ-
e = L × dt/dI
e = L × dI/dL
e = dt/L ×dI
e= I × dL/dt
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: একটি কয়েলের সাথে সংশ্লিষ্ট এর নিজস্ব ফ্লাক্সের পরিবর্তনের কারণে যে ইএমএফ আবিষ্ট হয় তাকে সেল্ফ ইনডিউসড di ইএমএফ বলে।
2937. সেলফ-ইন্ডাকট্যান্স-
L= Iꟁ/nহেনরি
L = nIꟁহেনরি
L= nI/ꟁ অ্যাম্পিয়ার টার্ন/ওয়েবার
L= nꟁ/I হেনরি
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: সেলফ ইনডাকট্যান্স LI = Nꝕ
L= Nꝕ /I Henery
যেখানে, N = No of turns
ꝕ = Flux
I = Current
2938. এডি কারেন্ট লস নির্ভর করে-
সর্বোচ্চ ফ্লাক্স ডেনসিটির বর্গের উপর
পরিবর্তনশীল চৌম্বকক্ষেত্রে ফ্রিকুয়েন্সির বর্গের উপর
ল্যামিনেশনের পুরুত্বের বর্গের উপর
উপরোক্ত সব ক'টির উপর
2939. হিসটেরেসিস লস নির্ভর করে-
পরিবর্তনশীল চৌম্বকক্ষেত্রে ফ্রিকুয়েন্সির উপর
সর্বোচ্চ ফ্লাক্স ডেনসিটির উপর
পদার্থের আকার-আকৃতির উপর
উপরোক্ত সব ক'টির উপর
2940. একটি কয়েলের ইন্ডাকট্যান্স মূল মানের চারগুণ বৃদ্ধি করতে হলে নিম্নের কোনটিকে দ্বিগুণ করতে হবে-
দৈর্ঘ্য
প্যাঁচের সংখ্যা
কয়েলের আয়তন
সবগুলো
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
অ্যাডভান্সড ইলেক্ট্রিসিটি all mcq
Advanced Electricity mcq
ব্যাখ্যা: Inductance L∞ N
ইনডাক্টট্যান্স প্যাঁচ সংখ্যার সাথে সমানুপাতিক অর্থাৎ প্যাঁচ সংখ্যা বাড়লে ইনডাকট্যান্সের এর মান বাড়বে।