MCQ
2881. একটি কো-ভ্যালেন্ট বন্ডের বৈশিষ্ট্য নির্ধারিত হয়-
8-N রুল দ্বারা
মলিকুলার অরবিটালস দ্বারা
ক্রিস্টালানিটি দ্বারা
ইলেকট্রন ভেলোসিটি দ্বারা
2882. একটি ব্রিজ রেক্টিফায়ারের রিপল ফ্যাক্টর কত?
0.48
1.21
0.812
1.11
2883. Transistor-এর যে অংশ সবচেয়ে বেশি Doping করা হয়, তা হচ্ছে-
Emitter
Collector
Base
উপরের সবকয়টি
2884. Zener Diode কোন বায়াসে সবসময় কাজ করে?
Forward
Reverse
কওখ
কোনোটিই নয়
2885. যে ইলেকট্রনিক বর্তনী পরিবর্তিত বিদ্যুৎপ্রবাহকে সরল একদিক বিদ্যুৎপ্রবাহে পরিণত করে, তাকে কী বলা হয়?
মডুলেটর
রেকটিফায়ার
রেগুলেটর
অসিলেটর
2886. ডিজিটাল ঘড়ি বা ক্যালকুলেটরে কালচে অনুজ্জ্বল যে লেখা ফুটে উঠে তা কী দিয়ে তৈরি হয়?
এল.ই.ডি
এল.সি.ডি
আই.সি
সিলিকন চিপ
2887. নিম্নের কোন Material-টি Infrared LED-এর জন্যে ব্যবহার হয়?
Silicon
Germanium
Gallium-arsenide
Boron
2888. আয়োনোস্কেয়ার গঠিত হয়-
Positive চার্জ স্তর দ্বারা
Negative চার্জ স্তর দ্বারা
Neutral স্তর দ্বারা
কও খদ্বারা
2889. যদি একটি মৌলিক পদার্থের পারমাণবিক সংখ্যা Z হয় এবং এর পারমাণবিক ওজন A হয়, তবে নিউক্লিয়াসে প্রোটনের সংখ্যা হয়-
Z
A-Z
A
A+Z
2890. ৮৫% দক্ষতার একটি ট্রানজিস্টর অ্যামপ্লিফায়ার কোন ক্লাসের অন্তর্ভুক্ত?
A
B
AB
C
2891. Break-down অবস্থায় কাজ করার জন্য যে Diode ব্যবহার করা হয়-
সাধারণ PN Diode
টানেল diode
ভ্যারেক্টর Diode
Zener Diode
2892. FET কোন ধরনের ডিভাইস?
Bipolar
Unipolar
কওখ
কোনোটাই নয়
2893. একটি CE সংযুক্ত ট্রানজিস্টরে ইনপুট এবং আউটপুটের মধ্যে ফেজ শিফট কত হবে?
0°
180°
90°
270°
2894. যে Electric circuit-এর মাধ্যমে DC-কে AC করা হয়, তার নাম কী?
Rectifier
DC Generator
Inverter
Converter
2895. BJT-তে কয় ধরনের Noise Source আছে?
৩
২
8
2896. If I = 10mA, I = ImA, then a = ?
0.909
0.1
10
None
2897. একটি silicon NPN transistor-কে ON করার জন্য Base-এ কত Voltage প্রয়োজন?
-0.7V
+0.7V
+0.3V
-0.3V
2898. আয়োনিক বন্ডের ইলেকট্রোস্ট্যাটিক নেচার এটিকে কোন ধরনের বন্ড হিসেবে তৈরি করে?
ডিরেকশনাল
নন-ডিরেকশনাল
দুর্বল
গ্রুপ IV এলিমেন্টসে প্রযোজ্য
2899. কোনটি Transistor নয়?
BJT
IGBT
MOSFET
SCR
2900. মেটালিক বন্ডিং হয়-
সন্নিহিত অ্যাটমসের মধ্যবর্তী ইলেকট্রনসের শেয়ারিং- এর কারণে
ইলেকট্রন ক্লাউসের ওভারল্যাপিং-এর কারণে
আয়ন কোরসের মধ্যবর্তী আকর্ষণের কারণে
আয়ন কোরস এবং ইলেকট্রনসের মধ্যবর্তী আকর্ষণের কারণে