Image
1.0.0
MCQ
2881. ৮৫% দক্ষতার একটি ট্রানজিস্টর অ্যামপ্লিফায়ার কোন ক্লাসের অন্তর্ভুক্ত?
A
B
AB
C
2882. যদি একটি মৌলিক পদার্থের পারমাণবিক সংখ্যা Z হয় এবং এর পারমাণবিক ওজন A হয়, তবে নিউক্লিয়াসে প্রোটনের সংখ্যা হয়-
Z
A-Z
A
A+Z
কোন মৌলের পারমাণবিক সংখ্যা Z হলে, তার নিউক্লিয়াসে ততটি প্রোটন থাকে। যদি কোনো পরমাণুর পারমাণবিক সংখ্যা Z হয়, তবে সেই পরমাণুতে ২ সংখ্যক ইলেকট্রন ও প্রোটন আছে। পরমাণুর ভর সংখ্যা A হলে, নিউট্রনের সংখ্যা = A-Z
2883. একটি কো-ভ্যালেন্ট বন্ডের বৈশিষ্ট্য নির্ধারিত হয়-
8-N রুল দ্বারা
মলিকুলার অরবিটালস দ্বারা
ক্রিস্টালানিটি দ্বারা
ইলেকট্রন ভেলোসিটি দ্বারা
পরমাণুর শেষ কক্ষপাতের ইলেকট্রনসমূহ যে বন্ধনের মাধ্যমে একটি আরেকটির সাথে সংযুক্ত থাকে সেই বন্ধনকে কো- ভ্যালেন্ট বন্ড বলে। পরমাণুর শেষ কক্ষপথের ইলেকট্রনসমূহকে ভ্যালেন্স ইলেকট্রন বলে।
2884. একটি ব্রিজ রেক্টিফায়ারের রিপল ফ্যাক্টর কত?
0.48
1.21
0.812
1.11
2885. কোনটি সক্রিয় ডিভাইস?
রোধ
ডায়োড
ধারক
আবেশক
2886. পোলারাইজেশন দূর করার জন্য ব্যবহৃত হয়-
ম্যাগনেশিয়াম অক্সাইড
হাইড্রোক্লোরিক অ্যাসিড
অ্যামোনিয়াম সালফেট
ম্যাঙ্গানিজ ডাই-অক্সাইড
ব্যাখ্যা: পরিমাণকে বৈদ্যুতিক পোলারাইজেশন বলে। এই পোলারাইজেশনকে দূর করার জন্য ডিপোলারাইজার ব্যবহার করা হয়। যেমন- ম্যাঙ্গানিজ ডাই-অক্সাইড, পটাশিয়াম ডাইক্রোমেট।
2887. আয়োনিক বন্ডের ইলেকট্রোস্ট্যাটিক নেচার এটিকে কোন ধরনের বন্ড হিসেবে তৈরি করে?
ডিরেকশনাল
নন-ডিরেকশনাল
দুর্বল
গ্রুপ IV এলিমেন্টসে প্রযোজ্য
An ionic bond is a type of chemical bond formed through an electrostatic attraction between two oppositely charged ions. Ionic bonds are formed between a cation, which is usually a metal which is usually a nonmetal direction.
2888. Break-down অবস্থায় কাজ করার জন্য যে Diode ব্যবহার করা হয়-
সাধারণ PN Diode
টানেল diode
ভ্যারেক্টর Diode
Zener Diode
2889. If I = 10mA, I = ImA, then a = ?
0.909
0.1
10
None
2890. আয়োনোস্কেয়ার গঠিত হয়-
Positive চার্জ স্তর দ্বারা
Negative চার্জ স্তর দ্বারা
Neutral স্তর দ্বারা
কও খদ্বারা
ব্যাখ্যা: ভূপৃষ্ঠের উর্ধ্বে ৮০ কিমি থেকে ৬৪০ কিমি পর্যন্ত উচ্চতায় বিস্তৃত এলাকাকে আয়োনোস্কয়ার বলে। এ স্তরে H. Hr. Or গ্যাস আয়নিত অবস্থায় আছে। এটি Negative দ্বারা গঠিত।
2891. Transistor-এর যে অংশ সবচেয়ে বেশি Doping করা হয়, তা হচ্ছে-
Emitter
Collector
Base
উপরের সবকয়টি
2892. যে ইলেকট্রনিক বর্তনী পরিবর্তিত বিদ্যুৎপ্রবাহকে সরল একদিক বিদ্যুৎপ্রবাহে পরিণত করে, তাকে কী বলা হয়?
মডুলেটর
রেকটিফায়ার
রেগুলেটর
অসিলেটর
2893. একটি PNP ট্রানজিস্টরে থাকে-
৩টি P-N জাংশন
২টি P ও একটি N রিজিয়ন
শুধুমাত্র ডোনার আয়নস
শুধুমাত্র অ্যাকসেপ্টর আয়নস
2894. যে Electric circuit-এর মাধ্যমে DC-কে AC করা হয়, তার নাম কী?
Rectifier
DC Generator
Inverter
Converter
2895. স্বাভাবিক তাপমাত্রায় একটি পি-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর অ্যাকসেপ্টার অ্যাটমস-
একটি পজিটিভ চার্জ বহন করে
একটি নেগেটিভ চার্জ বহন করে
নিরপেক্ষ
একটি পজিটিভ চার্জ ও একটি নেগেটিভ চার্জ বহন করে
In p-type semiconductor, the number of free electrons (n) increases with the increase in temperature, but number of holes remain constant.
2896. একটি silicon NPN transistor-কে ON করার জন্য Base-এ কত Voltage প্রয়োজন?
-0.7V
+0.7V
+0.3V
-0.3V
2897. একটি CE সংযুক্ত ট্রানজিস্টরে ইনপুট এবং আউটপুটের মধ্যে ফেজ শিফট কত হবে?
0°
180°
90°
270°
2898. ডিজিটাল ঘড়ি বা ক্যালকুলেটরে কালচে অনুজ্জ্বল যে লেখা ফুটে উঠে তা কী দিয়ে তৈরি হয়?
এল.ই.ডি
এল.সি.ডি
আই.সি
সিলিকন চিপ
ব্যাখ্যা: সিলিকন চিপ হচ্ছে অর্ধপরিবাহী সিলিকনের জন্য তৈরি এক ধরনের চিপ, যা সংখ্যামান প্রদর্শনের জন্য ডিজিটাল ঘড়ি বা ক্যালকুলেটরে ডিসপ্লে করার জন্য ব্যবহৃত হয়। অন্যদিকে, LED ও LCD উন্নতমানের দুটি মনিটর।
2899. মেটালিক বন্ডিং হয়-
সন্নিহিত অ্যাটমসের মধ্যবর্তী ইলেকট্রনসের শেয়ারিং- এর কারণে
ইলেকট্রন ক্লাউসের ওভারল্যাপিং-এর কারণে
আয়ন কোরসের মধ্যবর্তী আকর্ষণের কারণে
আয়ন কোরস এবং ইলেকট্রনসের মধ্যবর্তী আকর্ষণের কারণে
Metallic bonding বা ধাতব বন্ধন হলো এক ধরনের রাসায়নিক বন্ধন যা পরিবাহীর ইলেকট্রন এবং ঋণাত্মক চার্জযুক্ত ধাতব আয়নগুলোর মধ্যে ইলেকট্রোস্ট্যাটিক আকর্ষণ বলের কারণে উদ্ভূত হয়।
2900. কোনটি Transistor নয়?
BJT
IGBT
MOSFET
SCR